下面為大家介紹納米三氧化鎢如何進行光催化，首先製備完納米三氧化鎢，並測試其對水裂解為氧和質子的光催化性能。由於純納米三氧化鎢缺少金屬的性質而幾乎沒有催化，所以在納米三氧化鎢中加入少量的鉑和二氧化釕來提高其催化性能。

過渡金屬硫族化物因有獨特的物理化學性質和新穎的結構，而受到人們的廣泛關注。就二硫化鉬來說，其具有較大比表面積極，較強吸附能力，較高的化學反應活性和較好的催化性能；二硫化鎢則具有很低的摩擦係數，較高的抗極壓性能和抗氧化性能等特點。基於二硫化鉬和二硫化鎢的優良特性，MoS2/WS2納米複合材料會展現出相對其單一材料更加全面、優異的性能。接下來將為大家介紹的該納米複合材料的制取方法。其具體步驟如下：

p型WSe2之所以能很好地成為光電極產氫的理想材料，是因為它具有以下3個優勢：（1）帶隙窄，易於光電化學產氫；（2）具有較高的載流子遷移率；（3）光電轉換效率僅次於矽，但光穩定性高於矽。據悉，目前提高二硒化鎢光電催化活性的方法主要使用負載，如鉑、釕一類的貴金屬及其相應複合物，由於負載材料價格昂貴且地球含量低，極大地限制該類材料在光電催化分解水方面的實際應用。針對上述的不足，下面將為大家介紹一種WSe2基複合納米片光電極的生產方法。其具體步驟如下：

相對於過渡金屬二氧化鈦（TiO2）來說，二硒化鎢（WSe2）納米顆粒更適合用來製造高性能的光電極，這主要是因為該鎢化合物具有更高的光吸收係數和能量轉換效率。WSe2的光電轉換效率高達17%，而 TiO2只能吸收5%的太陽光。

作為過渡金屬鎢的較為典型一種化合物，二硒化鎢（英文為 tungsten diselenide，分子式為WSe2）因晶體結構特殊，而具有較為出色的力學、電學、光學、磁學等性能，廣泛應用於航太航空、軍事國防、醫療設備等領域中。

目前，對於二硫化鎢的製備方法主要採用射頻濺射法、範本法、水熱合成法、微波輔助合成法及超聲化學合成法等。但是，這些方法均存在對於設備要求高、工藝複雜、成本昂貴、不利於器件的開發和應用。針對上述的不足，下文將為大家介紹一種能製備具有大比表面積的N摻雜WS2納米片的燒結法。其具體步驟如下：

目前，由於矽基的記憶體件已經基本達到了理論上的極限，所以對於新型的能夠滿足未來微納器件製作的半導體材料的探究迫在眉睫。而基於二硫化鉬（MoS2）的鐵電記憶體理論上開關比能夠達到10^8，電子遷移率達到數百，這使得它在未來的電子器件中有著廣闊的應用前景。然而，低的接觸電阻使MoS2金屬介面的肖特基勢壘較低，從而限制了MoS2作為鐵電記憶體溝道材料的應用。

為了進一步升高新一代鋰電池正負極材料的品質，國外內研究者表示可以向它們中添加適量的過渡金屬化合物如二硫化鉬、二硫化鎢粉末來作為重點的功能性原料。以WS2納米片為例，其能在很大程度上提高電極材料的容量、電化學性能和安全性，進而使所製備的電池更適合應用於可擕式印表機中。

具有與石墨烯層狀結構相似的二硫化鎢粉末（WS2），其因有優異的儲鋰性能和良好的導電導熱性等特點，而有望成為了新一代鋰電池電極材料的優選添加劑。就小型的可擕式印表機來說，其若能選用含有WS2顆粒的蓄電池來作為電源的話，那將可實現體積更小容量更大的目標。

二硫化鎢納米粉體的摩擦磨損性能是個新課題，二硫化鎢作為一種新型固體潤滑材料, 具有優良的潤滑性能，其具有層狀六方晶系結構, 層內W、S元素通過共價鍵結合, 層間由S-S形成的分子鍵結合，由於後者鍵能較低, 在摩擦過程中極易發生滑移, 故具有較低的摩擦係數。