エレクトロクロミック素子に用いられる三酸化タングステン粉末はエレクトロクロミック金属酸化物である。専門家によると、ほとんどのエレクトロクロミック酸化物はBO 6構造を持っている。下図はABO3ペロブスカイト格子構造の単位胞を示している。

酸化タングステン粉末は、光学バンドギャップが約3.00 eVであり、非標準化学量論比を形成しやすいワイドバンドギャップ半導体である。酸化タングステン薄膜を作製し、次いでエレクトロクロミック素子を組み立てるために使用することができる。製造されるデバイスの性能は、原料酸化タングステンの製造方法及び条件に大きく依存する。

산화텅스텐 분말은 광대역 갭 반도체로, 광학 대역 갭은 약 3.00eV로 비표준 화학 계량비를 형성하기 쉽다.그것은 산화텅스텐 박막을 제조한 후에 전기 변색 부품을 조립하는 데 사용할 수 있다.제조된 부품의 성능은 대부분 원료인 산화텅스텐의 제조 방법과 조건에 달려 있다.

황색 산화 텅스텐이나 삼산화 텅스텐은 일종의 무기전 변색 재료이다.이 중 삼산화텅스텐 가루는 주로 비결정 구조나 결정 구조의 전기 변색 필름을 만든 뒤 스마트 창문 등 전기 변색 부품을 조립하는 데 쓰인다.그렇다면 비결정 WO3 전기 변색 필름 (a-WO3 필름) 과 결정 상태 WO3 전기 변색 필름 (c-WO3 필름의 차이가 무엇인지 아십니까?