複合材料は煆焼を通して、酸化ケイ素要路内のシリコンタングステンは酸化タングステンを転化する。焼成の温度は酸化タングステン結晶と介穴構造に影響がある。.本文は550-950℃の間で、違いアニール温度は酸化タングステン介穴構造の影響を探索した。エタノールを分散剤として、シリコンタングステンとシリコン介穴の物質はm（NULLNULL WO3）/ m（SiO 2）3：1で、違い温度で煆焼したHFのタングステン酸化を処理する。アニールの温度が５５０℃の時には、小さな基本は無回折峰えである。これは構造の秩序度はとても悪く説明する。同時に、N 2吸着-脱別表徴中の比表面積は42.7m2・g-1で、600℃を煆焼後の比表面積の68.0m2・g-1に比べて著しい低下がある。

また、焼成の温度が600-750℃時は、２θ＝1の辺りで明らかな回折峰があり、煆焼の時SiO 2硬テンプレート内の酸化タングステン結晶の属性がより良くことを説明する。しかも、HFの処理後で酸化タングステンの介穴構造の秩序度がより良い。しかし、小角回折の中で、峰の二級回折峰を観察しなく、介穴の構造は良い秩序性を形成しないことを説明する。.アニールの温度850と950℃に達する後、結構んの秩序度が悪く、温度が高すぎて部分の酸化タングステンを揮発するかもしれない。その構造の秩序度に影響する。

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1992年、Kresgeは初めてMCM-41というの要路構造があるのシリカ介穴材料を報道した。分子篩の材料の研究は新しい分野を開拓した。介穴材料は大きい比表面積で、均一に調整するの穴径（2-50nm）、ルールの制御の外観、高い熱性能と耐水解性など性能があるので、分離、吸着、触媒、生物の材料、情報材料、カーボンナノチューブ作製などの分野で応用されるのは人々がますます重視を受ける。

二酸化ケイ素介穴材料の調製および性能では多くの研究があり、異なる構造の特徴の介穴二酸化ケイ素は調製しやすい。しかし、その性能は違い分野の応用に満たすことができなくから、非シリコン基介穴材料の研究がもっと増える。酸化タングステンの自体は解媒で、電界変色、電極材料、蓄圧およびマイクロ波材料などの分野での応用の特性なので、介穴の酸化タングステン素材がこの分野でもっと効果の作用を発揮する。

酸化タングステンの介穴材料の調整について、国内外では関連の報道がある。その調整方法は2つに分けることができる。一つはロングチェーンの有機物をテンプレートとして、六塩化タングステンをタングステン源になる。エタノールの中でゲル化後、焼成または溶媒抽出を通して、有機のテンプレート剤を除ってタングステンの介穴素材を調整する。だが、高温アニーリング時に、酸化タングステンの介穴は极崩れやすい。しかも、抽出を利用して有機テンプレートを除っく時、何度も抽出で割り切っにくい。同時に、酸化タングステンは十分に結晶にくいので、この方法は最終的に構造が良い酸化タングステン介穴材料を得られにくい。

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もう一つの方法は硬いダイ板法で、すなわちこの方法はテンプレートを除く時に条件は温和で、しかもテンプレートを徹底的除くする。ほとんどはリンタングスデン酸をタングステン源をとして、だから、それによって不純物リンを導入する。しかも、重点は介穴酸化タングステンの応用性能に関する研究である。その調製条件で、シリコンタングステンをタングステン源として、介穴シリカ（KIT-6）をテンプレートにして、硬いテンプレート法で酸化タングステン介穴材料を調整する。そして、調製の条件を模索する。

介穴シリカ（KIT-6）の調製について、すなわち40℃で、2.5gブロック共重合体P123は80mL0.5mol・L-1の塩酸の中を溶けて、3.5mL正ブタノールを加入して1hに攪拌する。後で、4mLのTEOSを加入して、同じ温度で24h続け攪拌し、所得の混合溶液に移しテフロンを様々な反応釜の中である。100℃で水熱反応4dで、冷却した後、室温で乾燥に白い粉末を得られる。最後は所得の白い粉末がプログラムの炉内で1℃・min-1の加熱速度550℃まで加熱する。５５０℃で4hに恒温有機テンプレート剤を除く。また、酸化タングステン介穴材料の調製は1gの介穴シリカ（KIT-6）は35g分散剤（エタノールや蒸留水）で分散し、一定量の1 g・mL-1のシリコンタングステン酸溶液を加入し、室温で24hを撹拌する後、100℃で乾固溶剤を乾燥する。WO3-SiO2の複合材料をえられる。この複合材料は各温度（550-950℃）で4hを煆焼して薄緑色の粉末を得る。そして、60mL1.3mol・L-1HF溶液中に入って、室温で24hを撹拌し、SiO 2品除いて、洗濯で乾燥して、最後に黄色の産物を得られる。

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酸化タングステンのフィルムは現在で最も注目のイオン敏感の変色材料の一つである。それはReOの構造があり、その結晶構造は実際にはABO3型カルシウム欽鉱構造の中のカチオン位Aが空いて、B位がW6 +を変える。.正イオン源に存在している時、電界の作用に加えて、正イオンMと電子はWO3フィルムの中に拡散と移転を起こす。WOの上にマイナス電圧に掛ける時、プラスイオンはWO3フィルムを注入する。そして、その「A」の位を占めて、タングステン靑銅MxWO3を形成する。電圧は逆に、注入したイオンはWO3フィルムの内から抽出する。上記のイオンの注入と抽出はプロセスは可逆の電気の化学反応過程である。

イオンは酸化タングステンフィルムを注入と抽出するの過程の中で、フィルムの光学特性と電気学特性が大きな変化に発生する。例えば、イオンの注入量Xの増加に従って、MxWO3は絶縁体から半導体に変わて、甚だしきに至っては金属の特性がある。抵抗率が01１６～5X01ncmの範囲内で変化を発生した。それなりに、フィルムも透明態から深い靑までの間で可逆の変化を発生する。

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