化学气相沉积(CVD)是利用气体原料在气相中通过化学反应形成并经过成核、生长两个阶段合成薄膜、粒子、晶须等固体材料的工艺过程。CVD技术有多种，如快热CVD、等离子体增强CVD、低压CVD等。采用CVD制备WO3薄膜也是一种常用的方法。Maruyama等用W(CO)6作为原料，加热到60～100 ℃，产生蒸气，再用载气N2将产生的蒸气以300cm3/min的流速载入，W(CO)6在反应室中分解，可使WO3沉积到基底上。后来Ma-ruyama又采用P-CVD(photo-CVD)方法对化学气相沉积进行了改进，在沉积过程中加入一低压汞灯，增加了WO3沉积率并提高了薄膜质量。化学气相沉积法具有多功能、工艺可控、过程连续且产品纯度高等特点，但成本高，规模扩大困难，不适合薄膜的工业化制备。

 

 

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