광촉매로서, 비금속 도핑 된 황색 텅스텐 산화물의 광촉매 성능은 순수한 WO3에 비해 개선된다. 비금속 이온 (C, N, F, S)은 O2p 오비탈에 비해 에너지가 상대적으로 높은 궤도를 가지고 있기 때문에 이러한 원자를 사용하여 반도체 산화물 (예 : WO3)의 일부 O 원자를 대체 할 수 있습니다. 반도체의 원자가 대역의 위치가 상승하고, 흡수 금지 에지가 적색으로 이동되도록 반도체 금지 대역의 폭이 감소된다.

タングステン針は、走査型トンネル顕微鏡（STM）のアプリケーションのプローブとして広く使用されています。これは、1980年代に世界でトップ10の科学的および技術的成果の1つとして認められている原子レベルで表面をイメージングするための機器です。

光触媒として、非金属ドープ黄色酸化タングステンの光触媒性能は、純粋なWO3と比較して向上しています。 これは、O2p軌道と比較して、非金属イオン（C、N、F、S）は比較的エネルギーの高い軌道を持っているためです。これらの原子を使用して、半導体酸化物（WO3など）の一部のO原子を置き換えると、 半導体の価電子帯の位置を上げ、半導体の禁制帯幅を狭めて吸収端を赤方シフトさせる。

텅스텐 바늘은 1980 년대 세계 10 대 과학 기술 업적 중 하나로 인정받는 원자 수준의 표면 이미징을위한 기기 인 STM (Scanning tunneling microscope)의 응용을위한 프로브로 널리 사용됩니다.