構成相転移は二つ基本タイプとして区分する：再構成型と変位型。その分類は週期性グリッドの化学結合が転移してから破壊と否を受けたのは。厳密に言うと，再構成型の構成相転移全部归入位変位型の分類に入りとは局限性のある。明らかに原子、分子ユニット及び等価基のグループは、極ノンリニヤリティの運動に関連する秩序と相転移がある。再構成型相転移にとって、私たちは举出炭素、石墨、ダイヤモンドなどの構造変化の例を挙げる；しかし非再構成型相転移は変位型相転移を含める、秩序-無秩序型相転移，混合型相転移、電気音響子互作用に関する相転移など。もちろん、超電導相転移を含まない。そのシステムの構造が、対称性は転移前後に変化しない。

がよく描かれになっWO6八面体頂角共用の3次元網状構造で、しかしWO3の対称性が比較的に低く，それは理想ReO3構造の変形，体現WO6八面体傾斜やタングステン原子に取って代わられた八面体の中心位置。フォノン格子と電子の結構にさまざまな変化の影響を生みました三酸化タングステン共同をいくつかの晶相。この結晶は、温度の上昇は、低対称性の高い対称性の高い対称性を持っている。

シリーズの研究をしている、現在比較的に公認の三酸化タングステン体材料の結晶相変化手順を得る：単斜Pc（ε-WO3）→三斜PT(ζ-WO3)→単斜P21/n(λ-WO3)→直交Pbcn（β-WO3）→四方P4/ncc（α-WO3）→P4/nmm。2002年に、絶えず研究すると，新しい結晶が発見された。同じ経緯高分解能中性子粉末回折の方法を確認した720℃まで790℃の温区も存在する新単斜相。

基板加熱

基板温度は基板表面吸着イオンの活性化、移行、核の最も重要な要因を決定する、それもフィルムの相を決定する要因の一つである。常温に堆積したフィルムと基板の結合が牢固なくて、抜け落ちやすい。しかし、堆積温度が高い場合に、フィルムの中に結晶粒子長すぎると、変色と回復の速度が低下します。WO3フィルムの粗しょう多孔質や非結晶化はフィルムの電界変色変色、ガスを効果の実現や性能の向上を有利するし、現在の国内では非結晶フィルムを得るためスパッタ力、膜速度、スパッタリングストレスと標的になり、スパッタ率などを下げることが多い膜ができないことを、できるだけにすることができて、これは非晶質あるいはナノメートルの結晶態の膜の構造を獲得することを獲得して。温度が低い、気圧が高い条件で、入射粒子のエネルギーは低くて、原子の表面拡散能力は有限である、形成した薄膜組織が明らかに粗しょう。

酸化タングステンフィルムのドーピング

酸化タングステンフィルムはドープの元素を通して明らかにいくつかの特性を改善する、例えばフィルムの感度と選択性を強化するやフィルムの変色効果を高める。酸化タングステンフィルムのドーピング方式は酸化タングステンのゾルに特定のイオン、酸化タングステンフィルムを基板としてスパッタリングするやスパッタリングターゲット時は表面に一定の一定の割合の特定物質あるいは分段がスパッタリングでスパッタリングする複合膜を作る。適度なドープは反応してもっと多くの電子あるいは正孔を提供し、コンダクチビティーを高めて、タングステンの膜のさまざまな性質に影響を与える。

酸化タングステンフィルムの焼鈍処理

焼鈍温度と焼鈍の時に雰囲気が酸化タングステンフィルムの性質に影響を与える。焼鈍温度焼鈍時間が一定レベルに達して、酸化タングステンフィルム非晶質が結晶態に転化する。酸素の雰囲気に焼鈍がある場合には、その中の酸素の空きが欠陥が低下します。WO3ガスに敏感な材料のドーピング研究最初に、Shaverなどの真空蒸発法制てタングステンフィルム、それから600～700℃を経て加熱酸化につくるWO3フィルム、また少量 Ptを塗るの方法WO3はH 2や水素ガスを含むるガス（例えばNH3、H2S）のガス感度。K.Galatsis 等W(OC2H5)6と Mo(OC3H7)5をを前駆体に対して、SiO 2でマトリックス、ゾル・ゲル法制準備を通じてWO3-MoO3複合フィルム、そしてそのO 2にとってのガス敏性能、J.J.Chengらで直流反応マグネトロンスパッタ法がそれぞれドーピングAuめっき、Pt、RuのWO3フィルム,600℃焼鈍 4h、XRDから三斜晶係構造を表明する、 Au の混ぜはNO 2のガス敏感性を上がることが発見する。J.ShiehらWCl6前駆体をとして、Al2O3はマトリックスでゾルゲル法で調製したTiドープWO3フィルム、そしてNO 2のガス敏性能を研究する、Ti の混ぜは結晶粒子の大きさを抑えたを発見するし、感度アップする。

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今まですでに多くの科学者を三酸化タングステンフィルムの研究をするし、三酸化タングステンフィルムの調製する方法は：蒸発法、スパッタリング法、ゾルゲル法、電子ビーム蒸発法、化学蒸着法、陽極酸化法、スプレー熱分解、分子ビームエピタクシ法、原子層エピタキシャル成長法、電着、パルスエキシマレーザ蒸着法、イオンめっき法など、そのほとんどの方法は技術が複雑で、工程の条件が厳しく、応用は制限を受ける。しかしスパッタリング法と蒸発法など安定、便利、高速、フィルム均一などの長所を持つ。、ゾルゲル法の技術は簡単で、コストが低く、低温合成し、高度に化学均一性し（ドープ物質が膜において良く均一に分布する）、材料形状多様性などの長所を持ち、だから今を多く使うのは蒸発法、マグネトロンスパッタ法、ゾル・ゲル法。

今三酸化タングステンフィルムの研究に対して多くその電に変色して性能に集中する、そしてガスの変色性と光による変色性能の研究が少ない、三酸化タングステンフィルムは過去にもガスセンサーを使うし、しかし主に、抵抗変化によって気体濃度を確定する、半導体型センサを属する、応用時に電圧加熱が必要で、そして電磁波の妨害が大きくて、構造が複雑で、だからこのタイプの気体センサーの応用は大きく制限性がある。

水素と三酸化タングステンフィルムに触れた時、常温では色も変わる、明らかにフィルムのある光学性が変化しているから。水素は可燃性、爆発性ガス、常温と常圧で三酸化タングステンフィルム光学パラメータの変化を測定し水素濃度を確定する、としては、電気のパラメータは、加熱、加圧などの条件と電磁妨害などの条件と電磁干渉を避ける、それによって水素センサーの安全性、選択性を高める。

光ファイバーセンサーは耐腐食性に優れ、電磁妨害能力が強く、感度が高く、長距離測定などの利点があります。だから三酸化タングステンフィルムで光ファイバ光学水素敏センサと光変色デバイスなどを作るのは重大な学術意義と広大な応用の見通しがある。

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フィルム沈積は初めに原子吸着、寄附、核、成長まで最後にフィルムを形成、核と成長とともに、薄膜堆積時のプロセスパラメ-タ（基本温度、ベースバイアス、気体圧力）の変えり、フィルムのミクロ構造の影響を受ける。1975年に、John A.ThomtonによるZone Modelsスパッタリングメタルフィルムにとって、基本温度とスパッタリングガス圧力（Sputtering Gas Pressure）フィルムのミクロ構造の影響に対して、4種構造区モデルを提出して、下の図の通り：

ミクロ構造

低温高压（Ts/TM＜0.3（TS：基片温度、TM：熔点））の条件で、フィルムの内部構造に多孔性の細い円筒の粒の構造を形成しやすくて、原因は表面原子移動率（mobility）は低く、このエリアZoneⅠと呼ばれる。高温（0.3＜Ts／TM＜0.5）の条件で、原子は多くの熱エネルギーを獲得して、わりに高い移行率を持つ、表面拡散能力増強につながる。それで粒が細くなって膜表面平滑になるし、および粒が緊密に積んで柱状構造を形成する、このエリアZoneⅡと呼ばれる。より高い高温（0.5＜Ts/TM）の条件で、体拡散の能力増強によって、加上結晶粒子再結晶の因子を加える、高密度等軸結晶（equi-axisgrains）構造を形成して、このエリアZoneⅢと呼ばれる。ZoneⅠとZoneⅡ間に過渡区が存在するで、このエリアZone Tと呼ばれる。低温（Ts/TM≦0.3）低圧の条件で、フィルムの内部構造、結晶粒子がしっかり積んで併の境界決着のことがにくくて、これは遮蔽効果、表面拡散、体の拡散および再結晶などの現象総合作用の結果で、フィルムは繊維状の構造を呈する。

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