안티몬 도핑 된 텅스텐 산화물 분말은 나노 세라믹 입자를 제조하는데 사용될 수있다. 얻어진 세라믹 입자는 통상의 노면의 포장에 적용 할 수있다. 즉, 미끄럼 방지 세라믹 골재는 도로 표면에 골고루 퍼져 나갈 수 있으며, 전신은 매우 단정하고 아름답고 퇴색하기 쉽지 않고 도시를 아름답게하는 역할을합니다.

アンチモンドープ酸化タングステン粉末を用いてナノセラミック粒子を調製することができる。 得られたセラミック粒子は、通常の路面の舗装に適用することができる。 すなわち、滑り止め用セラミック骨材は路面に均一に行き渡ることができ、全身が非常にきれいで美しく、そして退色することが容易ではなく、街を美しくする役割を果たしています。

アンチモンドープ酸化タングステン粉末は、透明断熱コーティングなどの透明断熱材料を調製するために使用することができる。絶縁被覆と断熱機構の実施形態に応じて分類した場合、バリアは、絶縁コーティング、反射コーティング及び放射線断熱コーティングに分けることができます。

セリウムドープ酸化タングステンナノ粉末は、絶縁ガラスに使用するための遮熱コーティングを調製するために使用することができる。その中で、適切な溶媒中のセリウムドープ酸化タングステンナノ粒子のサイズおよび存在を考慮すると、溶媒中の粒子を改良するために、物理的または化学的修飾などのこれらのナノ粒子を前処理することが必要である途中での安定性。

CR脱硝触媒はたくさんの形式がある、その活性組み分けの違いによって、金属酸化物、炭素基触媒、イオン交換分子篩、貴金属や炭素钛矿複合酸化物に分けられています。石炭の発電所の中の多数は金属酸化物触媒を中心として、例えば三酸化タングステン。炭素基触媒排煙に用いて、同時に脱硫脱窒素技術も発展していく。平板状と胞状触媒は石炭火力発電所はＳＣＲ技術で常用の触媒形です。

三酸化タングステンSCR脱硝触媒の活性はいろいろな因子の影響を受けます。その中で大きな影響因子は反応温度、活性組分けの線量、アンモニアの注入量などを含める。三酸化タングステンSCR脱硝触媒は250~450°Cに最優活性を備えで、通常は脱硝反応は全部設定はこの温度範囲内に設定されている、特に350～400°Cはベストです。触媒は反応温度の依頼性と触媒の各々活性成分の含有量及び割合で決定する。反応温度はこの温度範囲から離れる時、触媒の性能低下される。特に高温エリアで使用している場合で、触媒の表面は温度が高すぎて焼結する。触媒部分またはすべて失活しますが、触媒の寿命を短くになる。しかし、硝石装置の適用範囲が拡大するとともに、三酸化タングステンSCR脱硝触媒の使用温度の範囲も拡張された。

適当な三酸化タングステンSCR脱硝触媒活性金属組分けを選んで、各種の用途と最適な特性を持つ触媒を製造することができる。その用量は硝装置の設置能力と操作要求によって決定された。活性グループ分の量が増え、触媒の脱硝が性能が向上したということです。

アンモニア還元剤にとして、硝石反応過程で、それと排出ガス中のNOxの物質の量の割合ほとんどの要求は1：1。アンモニアの量を増加すると三酸化タングステンＳＣＲ脱硝触媒の脱硝効率を挙げることができるで、同時にアンモニアの流出量の増大の深刻な問題をもたらして。だから、アンモニア濃度と触媒の決定に必ず硝石装置の後部機械の影響を考慮に考える。

中国は現在生産上で粗粒硬質合金の調製に主な工芸は三酸化タングステンの中でアルカリ金属を加えて、例えばナトリウム、パラジウム、銀など。水素還元後粗粒タングステン（W）粉を調製する時、高温炭化を通して粗粒炭化タングステン粉を得て、プレス、成形、焼結工程制で粗粒超硬合金を調製した。混ぜるナトリウム三酸化タングステンを調製方法通則はスプレー法、人工ドープ法がある。この二つの方法の欠点が調製高ナトリウムWO₃化学元素の分布が均一ではなくて、後の生産に影響する。粒は生成した後不均一になって、生産する製品の差異性が大きい。後で、スプレー法はスプレーを購入する必要がありますので、コストは増加になる。人工ドープ法は人為コストを増加する必要がある。

そして混ぜるナトリウム三酸化タングステンの調製方法はスプレー法、人工ドープ法と比べる、コストが低いだけでなく、操作が簡単で、それと生産しできた三酸化タングステン粉末もっと均一です。具体の方法は以下のように。

ステップ：
1. アルカリでタングステン精鉱を分解してイオン交換を通して、モリブデンを除くなどのプロセス得たタングステン酸アンモニウム溶液に原料とする、タングステン酸アンモニウム濃度（WO₃質量計）は200～300 g / L、Na+質量濃度は10~40 ppm。
2. 後続製品の要求により固形ナトリウムに加入するし、ナトリウムをくわえて化合物のドーピング数量はWO₃質量百分率Na / 05～0 . 25 %による。
3. 蒸発結晶して、温度は80～100°Cを制御して、攪拌速度は50~200 r/min。
4. 蒸発して結晶のpHは6.4~7.0になったまで、停止加熱、20～50°Cに冷却する。
5. 真空ろ過方式で材料に対して濾過を行う、干し、ナトリウムをくわえて均一なAPT粉末を得る。
6. APT焼成炉内を置く、680 ~ 740°Cでアニールして、ナトリウムをくわえて均一な三酸化タングステン粉末を得る。