二酸化バナジウムフィルムは新型の感熱機能の材料である。それは温度に伴い、68℃の温度の上昇に単斜ルチル型構造の半導体から一転四方赤金石構造の金属状態である。しかも、抵抗率と赤外光透過率などの物理的性質が突然の変異をする。その特性に基づいて、それは光情報記憶、光電スイッチやスマート窓などの分野で応用される。しかし、二酸化バナジウムの変態温度が高すぎるために、応用されるのことに不利である。

研究を通して、二酸化バナジウムフィルムに少量のタングステンイオンに混入してフィルムの変態点を下げるのことができる。これは二酸化タングステンのバナジウムフィルムが多く分野に応用されるのことによい。

タングステンは二酸化バナジウム相転移温度の低下につながる現在2種類の説明がある。第一は金属-半導体相転移による格子センターずれバナジウム原子酸素八面体隙間の中心に位置のために、原子半径の大きいタングステンはバナジウムを代わるの時に、8つ体内の余裕ない空間がタングステン原子をオフセンターに離れて、それによって二酸化バナジウムの金属相を安定した。第二はタングステンがバナジウムに二つのd電子がより多くてV3dに入りさせ、半導体相の禁制帯幅が減少する。