ここでは２つの事項について検討を行なった。ゼーベック効果の実験からタングステン酸化物結晶がn型半導体である事、また、その特異な形状から電子エミッタ材料への応用が考えられる。

 

ここでは、鏡面研磨されたn型シリコン基板上にWO2.72柱状結晶を堆積させたものを電子エミッタ特性の測定試料として用いた。アノード電 極（正電圧に印加）は透明電極（ITO）、カソード電極（負電圧またはアース）はシリコン基板とした。

ITOとシリコン基板間の距離は960umとした。測定装置内の真空度を10-8Torr程度の高真空にした後、負バイアスされたWO2.72柱状結晶の先端から放出された電子は正バイアスに印加されたアノード電極に達する。その時に流れる電流値を測定する。立ち上がり電界に着目すると、1.04V/umに達すると、1.5×10-9Aとなると電子を放出し始め、電流の急激な立ち上がりを観測する事が出来る。

 

そして、1.04V/umで1.06×10-5Aまでの電子放出を確認することが出来た。すなわち、わずか0.4 V/umの電界の増加で約104倍の電流増加が認められた。1.04V/umの立ち上 がり電界の値はC.N.Tの特性と比較するとほぼ同等の値であり、今後に期待できる特性を持っていると考えられる。

 

 

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