三酸化タングステンの分子式はWO3で、分子量は231.85である。WO3の分子式はかなり簡単ですが、物理的性質は非常に複雑である。化学計量比に満足で不純物がない三酸化タングステンは無色透明の絶縁体であるが、一般的WO3中の酸素の含有量はを厳格な化学計量に満たしていない。調製の中に酸素の含有量は抑えしにくく、他の複雑な要因に加えてから、WO3-X型式で表示する。

1959年、SawadaとDanielsonはWO3単結晶での電気抵抗の抵抗率測定結果p = 1.7×10-1Ω・cmをじた。1983年、SahleとNygrenはWO3-X（0 y≤≤0.28）係列単結晶の導電率測定を報じた。三酸化タングステンの電気学性質の研究につれて、WO3-X単結晶に対して、その電気学の性能はその構造と酸素の含有量の変化に従って金属や半導体行為を呈することができる。また、強誘電性の行為はWO3材料のひとつのきわめて重要な電気学の性質である。WO3結晶は強誘電材料の一つで、その強誘電の温度はTc＝-40℃である。

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ブルー酸化タングステンの形態は主に成分、比表面積、费氏粒度、酸素指数と殘って揮発分を含む。そして、ブルータングステンの形態の主な工芸パラメータを影響するのは焙煎の温度と雰囲気である。焙煎の温度はブルー酸化タングステンの比表面積の影響は主に比表面積の大きさである。

また、違い焙煎の温度に比較を通じで、比表面積の違う反応しましたところ、タングステンの比表面積は焙煎の温度の増加に伴って著しく低下する。焙煎の温度は400℃の時、ブルー酸化タングステンの比表面積は16.31㎡/ gに達する。しかも、焙煎の温度は500℃を増加するの時に、比表面積は10.07m³/ g下がる。それは焙煎解温度が高くタングステン粉粒子径分布に有利を改善するが、粒の比表面積が急激に減少につながる。そして、製品に大団粒を生成する。だから、この研究の結果から発見させるのはブル酸化ータングステンは先進の比表面積を維持しなら、APTは低い温度で焙煎をする。

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光触媒は今年の発展の新しい分野では、現在多くの半導体材料が光触媒に使用されて、水分解に用いる。WO3中のタングステンイオンが不在で酸素が部分のW6 + W 5 +イオンを還元になる。酸素不在は三酸化タングステンの晶型とレベル構造に影響を与える。そして、光触媒の性能にも影響を与える。非化学計量WO3-X表現n型半導体行為で、禁止帯幅は2．4～2.8evで、このことでの光触媒性能が他の半導体材料である。

波長は330nm紫外光輻射の下では、Fe2 + / Fe3 +電解質の体係の中で、WO3粉体触媒光分解水産酸素速度は1220umol/g/hである。そして、420nm可視光輻射の下、産酸素速度にも320umol/g/hに達した。WO3の中のタングステンイオンが不在で酸素が還元になる部分のW6 + W 5 +イオンが発生した時、電界変色効果を発生して、材料の色の対応には淺い黄色から淺い緑になる。外部とWO3イオンと電子材料の可逆注入によって、W6 +イオンとW 5 +イオンが相互変換、この方面の応用は材料の着色とアクロがある。

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タングステン粉は酸化タングステンを原料として、水素還元を用いて、粒度から0.6-30ミクロンである。主に太い、細いの粒度を分けて、銀灰色の粉末で、不純物の含有量は国家の標準に基づいる。

調製するタングステン粉が一般的に水素還元酸化タングステンの方法として、この方法は普通は2つの段階である。第一段階は500～700℃の温度の下で、三酸化タングステンは二酸化タングステンを還元する。第二段階で７００～９００℃の温度の下で、二酸化タングステンはタングステン粉を還元する。そして、反応の場合は管式ストーブやロータリー炉の二つである。還元工芸が還元するタングステン粉の性能に決まて、タングステン粉の純度及び粒度大きさを含む。

早期のタングステン粉の調製は酸化タングステン炭素還元法を採用した。この方法の反応温度が水素還元法より高く、1050℃に達し、しかも調製するタングステン粉の純度も相対的に低い。それ以外にも他に関する研究を行って、アルミ、亜鉛、カルシウム方法を用いて酸化タングステンを還元するのが一つである。特殊要求に応用して高純度、超細粒度のタングステン粉末は、塩化タングステン水素還元法を発展して、得たタングステン粉粒度が05μm以下できる。

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