タングステンは酸化タングステンを調製する時に、まずタングステンを取るべきだ。タングステン酸を称重して水に入って溶ける。そして、酢酸に入って、超音波は揺るがして条件で乳白色のジェル状は沈殿に析出する。沈殿した後120℃の環境の中で2 hを乾燥し、タングステンが得られる。

獲得した原材料のタングステンは単管還元炉に放置している。まず窒素ガスを通して還元炉の中の空気を排除し、また水素を通する。弱い水素雰囲気の中で焼成し、この過程で化学気相移転を発生する。温度が上昇して過程の中で、温度及び水蒸気分圧を適切に制御するべきて、最終的に酸化タングステンの粒が不合格を避ける。また、還元炉はゆっくり温度に上げて、温度が５００℃の時に、焼成を停止する。焼成したタングステンは保温環境に置いて、10minぐらいを保温して、すぐ酸化タングステンが得られる。

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酸化タングステンの応用が非常に広く、その材料の応用も高い密度と超高密度のメモリー材料の方面に集中する。酸化タングステンは遷移の金属酸化物の一つとして、強いラマン散乱の能力を持つ。空洞探査機を使用してこのラマン変位信号を検測する。空洞探査機の線は狭くから、もしも基片に出様々遷移金属酸化物の混合膜を調製するのは、空洞探査機は混合膜の中ですべて遷移金属酸化物のラマン変位信号を一度読み出す。これは光記憶の密度を大幅に向上させ、最もよくある酸化フィルムは酸化タングステン基フィルムである。

研究によると、酸化タングステン薄膜短波長のレーザー作用で、光の変化を急速に発生することができる。その重要な特徴の一つはC/ N比の高いが、例えばレーザーの波長は532nm時に酸化タングステン基フィルムの反射率は約93％で、他のフィルムの反射率は３５％である。酸化タングステン基フィルムの応答が鋭敏で、書き込み速度が速く、わずか2nsである。したがって、酸化タングステン基フィルムの短い波長は一回書き込み光記録行動は速度と信号解像度で既存の無機有機材料と光メモリーにも優れている。

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近年では、タングステン粉末を主な原料として調製したのタングステン基合金はそのずば抜けた導電、高い密度、放熱特性と膨張係数制御などの特徴で、電気の先、抵抗溶接、エレクトロニクス実装、軍事などの分野で広く応用される。研究を表明して、タングステン酸はタングステン粉末を調製して、タングステン粉末の来源と生産量を加えることができる。

タングステン酸はタングステン粉末を調製するのは、タングステンを原材料として、タングステンは単管還元炉で放置して、まず通窒素で空気を排除し、そして水素を通じる。弱い水素雰囲気の中でタングステンを煆焼し、ゆっくり加熱して500℃まで、保温して酸化タングステンが得られる。次に酸化タングステンへの単管還元炉継続する水素、還元過程の中で、水素流量は2.8m/hを維持する。還元過程の工芸の条件は、第一段の炉温は650℃で、第二段の炉温は750℃で、第三段の炉温は800℃である。温度は800℃の時に30分を保温して、結晶で、タングステン粉末を得られる。

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非多孔の酸化タングステンフィルムの調製は振られ膠法を採用する。前駆体ゾルの性質によって、均等の回転を通して、一定の時間内に均等膠回数を繰り返す。調製して非多孔の酸化タングステンフィルムが得られる。

まず、四塩化タングステンと無水エタノールを反応して酸化タングステンフィルム用の塗膜液を得る。N2の環境の下で攪拌し、一定量の氷酢酸に入って、約4hを、攪拌する。冷却で酸化タングステンゲル膜を得る。獲得した酸化タングステンゲル膜は室温の環境の下で数時間に静置で、部分の溶剤は揮発した後、次に熱処理を加えて、、温度は450℃以上に設定し、時間は1hである。次に、振られ膠法を採用して再加工を行う。調製する過程の中で、均等な速度は1600-5000r/minの間に設定して、均等な時間は20-60sで、振られ膠回数は1-30度を繰り返し、それによって調製した非多孔の酸化タングステンフィルムが得られる。

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