[korean] 전기 변색 부품용 산화텅스텐 분말

산화텅스텐 분말은 광대역 갭 반도체로, 광학 대역 갭은 약 3.00eV로 비표준 화학 계량비를 형성하기 쉽다.그것은 산화텅스텐 박막을 제조한 후에 전기 변색 부품을 조립하는 데 사용할 수 있다.제조된 부품의 성능은 대부분 원료인 산화텅스텐의 제조 방법과 조건에 달려 있다.

자세한 내용은 다음을 참조하십시오.

http://tungsten-oxide.com/korean/index.html

이 가운데 전문가들은 이온을 주입하는 것은 반도체 혼합에 해당해 WO3 박막을 유색 상태로 투명에서 짙은 남색으로 바꾸는 것이라고 말한다.그 실온 전도율은 10 ^ -10s/cm에서 10 ^ 3s/cm로, 굴절률은 1.75에서 2.8로, 광학 대역 갭은 2.9eV에서 3.2eV로 증가하여 변색 효율과 변색 응답에 현저한 변화를 초래할 수 있다.반도체 혼합이나 이온 주입이 산화텅스텐 전류 변색 부품의 전류 변색 성능을 높일 수 있다는 것이다.

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