エレクトロクロミック膜へのWO3粉末の使用
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- カテゴリ: タングステン知識
- 2024年1月17日(水曜)17:51に公開
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WO3粉末は無機エレクトロクロミック材料として、エレクトロクロミックデバイスを製造するエレクトロクロミック層(エレクトロクロミック膜)の最も一般的なエレクトロルミネセンス材料である。また、作製したWO3膜のX線回折分析(XRD分析)を行うことが重要である。これについて、製造された三酸化タングステン薄膜は非常に薄いため、基材にコーティングされた薄膜をXRD分析に直接使用すると、薄膜の弱い回折ピークはより強い基材回折ピークに置換されると専門家は述べている。
詳細については、次のサイトを参照してください。
http://www.tungsten-oxide.com/japanese/index.html
そこで、専門家らは、WO3エレクトロクロミックフィルムと同じ条件下で得られたWO3粉末をフィルムの代わりに用いてXRD分析を行った。RigakaD/max2500v/pc回折計を用いて、CuKα放射を用いて三酸化タングステン粉末サンプルを測定し、Niモノクロメータを用いて回折ビームを濾過した。波長λ=0.51418nm、管圧40KV、管流量200mA、走査角度範囲は10〜90ºである。合成粉末を相解析し、Jadeソフトウェアを用いてXRD回折パターンを解析した。WO3の標準XRDカードのカードエッジ数は20〜1324であり、その結晶形態は直交結晶である。
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