근적외선 흡수 재료를 제조하기위한 텅스텐 브론즈는 한 클래스의 텅스텐 브론즈 화합물을 지칭한다. 세슘 텅스텐 브론즈는 에너지 절약 창, 암 세포 제거를위한 생체 열 요법, 군용 스텔스 코팅 및 광학 위조 방지 등과 같은 많은 분야에서 널리 사용되었습니다.

近赤外吸収材料を調製するためのタングステンブロンズは、タングステンブロンズ化合物のクラスを指します。それは、セシウムタングステンブロンズである可能性があります。これは、省エネウィンドウ、癌細胞を除去するためのバイオサーモセラピー、軍事ステルスコーティング、および光学的偽造防止など、多くの分野で広く使用されています。

セシウムタングステンブロンズなどのタングステンブロンズは、透明な断熱分散を作るためによく使用されます。そして、調製された分散液は、高い導電率、高い近赤外線遮蔽効果、高い透明性、エレクトロクロミック特性、フォトクロミック特性、光熱変換能力、光触媒特性および分散安定性の特性を持っています。

세슘 텅스텐 브론즈와 같은 텅스텐 브론즈는 종종 투명한 단열 분산액을 만들기 위해 사용됩니다. 그리고 제조 된 분산액은 높은 전도성, 높은 근적외선 차폐 효과, 높은 투명성, 일렉트로 크로 믹성, 광 변색 성, 광열 변환 능력, 광촉매 성 및 분산 안정성의 특성을 갖는다.

적외선 흡수 재료는 M≤xM2yWOz의 식 (0.6≤x≤0.8, 0.2≤y≤0.33, 0.8≤x + y <1, 및 2≤z≤3)을 갖는 텅스텐 청동 착물 일 수 있고; M1은 Li 또는 Na이고; M2는 K, Rb 또는 Cs이다. 특히, 텅스텐 브론즈 착물은 입방 텅스텐 브론즈 (CTB) 및 육각형 텅스텐 브론즈 (HTB)로 구성된다. 입방 텅스텐 브론즈와 육각 텅스텐 브론즈의 몰비는 0.995 : 99.005와 5.005 : 94.995 사이이다. 적외선 흡수 재료는 높은 투과율 및 높은 단열 요건을 충족시키기 위해 단열 구조로 적용될 수있다.

赤外線吸収材料は、M1xM2yWOzの式を有するタングステンブロンズ錯体であり得、0.6≦x≦0.8、0.2≦y≦0.33、0.8≦x + y <1、および2≦z≦3。 M1はLiまたはNaです。また、M2はK、Rb、またはCsです。特に、タングステンブロンズ複合体は、立方体のタングステンブロンズ（CTB）と六角形のタングステンブロンズ（HTB）で構成されています。ここで、立方体タングステンブロンズと六方晶タングステンブロンズのモル比は、0.995：99.005と5.005：94.995の間です。赤外線吸収材料は、高い透過率と高い断熱性の要件を満たすために断熱構造に適用できます。

단열 지용 Cs0.32WO3는 소듐 텅 스테이트 및 탄산 세슘을 원료로 사용하여 열수 합성법으로 제조 할 수있다. 여기서, D- 말산은 환원제로서 첨가된다. 그러나 왜 D- 말산을 환원제로 선택합니까?

断熱紙用のCs0.32WO3は、原料としてタングステン酸ナトリウムと炭酸セシウムを使用した水熱合成法で調製できます。 ここで、D-リンゴ酸は還元剤として添加されます。 しかし、なぜ還元剤としてD-リンゴ酸を選択するのですか？

断熱コーティング用のCs0.32WO3は、原料としてタングステン酸ナトリウムと炭酸セシウムを使用した水熱法で合成できます。ここで、炭酸セシウムは、それぞれ0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、および0.6のCs / W比に従ってタングステン酸ナトリウムのイオン交換によって得られたタングステン酸溶液に添加された。

단열 코팅 용 Cs0.32WO3는 소듐 텅 스테이트 및 탄산 세슘을 원료로 사용하여 열 수법에 의해 합성 될 수있다. 여기에서 탄산 세슘을 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5 및 0.6의 Cs / W 비에 따라 소듐 텅 스테이트의 이온 교환에 의해 얻어진 텅스텐 산 용액에 첨가 하였다.