산화텅스텐은 전고체 전기 변색 부품을 제조하는 데 사용할 수 있다.이것은 전기 변색 성능이 우수한 원료 인 산화 텅스텐 가루가 다음 두 가지 기본 요구 사항을 충족한다는 것을 보여줍니다.

酸化タングステンは、全固体エレクトロクロミック素子を製造するために使用することができる。これは、良好なエレクトロクロミック性能を有する原料酸化タングステン粉末が以下の2つの基本的な要求を満たすことを示している：

WO3 분말은 삼산화텅스텐 전기 변색막 형태의 전기 변색 부품을 제조하는 데 사용할 수 있다.획득한 부품이 전기변색효과가 있는 원인은 삼산화텅스텐나노박막이 표면효과가 있기때문이다.

WO3粉末は、三酸化タングステンエレクトロクロミック膜の形態のエレクトロクロミック素子を製造するために使用することができる。得られたデバイスがエレクトロクロミック効果を有する理由は、三酸化タングステンナノ薄膜が表面効果を有することである。

전기 변색 부품에 사용되는 삼산화텅스텐 가루는 전기 변색 금속 산화물의 일종이다.전문가들은 거의 모든 전기 변색 산화물이 BO6 구조를 가지고 있다고 말한다.다음 그림은 ABO3 칼슘 티타늄 결정 구조의 결정체를 보여줍니다.

エレクトロクロミック素子に用いられる三酸化タングステン粉末はエレクトロクロミック金属酸化物である。専門家によると、ほとんどのエレクトロクロミック酸化物はBO 6構造を持っている。下図はABO3ペロブスカイト格子構造の単位胞を示している。

산화텅스텐 분말은 광대역 갭 반도체로, 광학 대역 갭은 약 3.00eV로 비표준 화학 계량비를 형성하기 쉽다.그것은 산화텅스텐 박막을 제조한 후에 전기 변색 부품을 조립하는 데 사용할 수 있다.제조된 부품의 성능은 대부분 원료인 산화텅스텐의 제조 방법과 조건에 달려 있다.

酸化タングステン粉末は、光学バンドギャップが約3.00 eVであり、非標準化学量論比を形成しやすいワイドバンドギャップ半導体である。酸化タングステン薄膜を作製し、次いでエレクトロクロミック素子を組み立てるために使用することができる。製造されるデバイスの性能は、原料酸化タングステンの製造方法及び条件に大きく依存する。

황색 산화 텅스텐이나 삼산화 텅스텐은 일종의 무기전 변색 재료이다.이 중 삼산화텅스텐 가루는 주로 비결정 구조나 결정 구조의 전기 변색 필름을 만든 뒤 스마트 창문 등 전기 변색 부품을 조립하는 데 쓰인다.그렇다면 비결정 WO3 전기 변색 필름 (a-WO3 필름) 과 결정 상태 WO3 전기 변색 필름 (c-WO3 필름의 차이가 무엇인지 아십니까?

黄色酸化タングステンまたは三酸化タングステンは無機電クロミック材料である。ここで、三酸化タングステン粉末は主に非晶質構造または結晶構造のエレクトロクロミック薄膜とすることができ、その後、スマート窓などのエレクトロクロミック素子を組み立てるために使用される。では、アモルファスWO3エレクトロクロミック薄膜（a−WO3薄膜）と結晶WO3エレクトロクロミック薄膜（c−WO3薄膜の違いは何か知っていますか。