三氧化鎢(w03)是一種n型間接帶隙半導體材料，因其禁帶寬度比較窄、空穴所在的價帶電位比較高(+3.10－3.20 V VS.NHE)，是一種非常具有應用前景的氧化物半導體光催化制。w03薄膜除了可以作為光催化劑外，還可以作為光電極在外加電壓作用下，進行光與電的協同催化一一光電催化。WO3自身存在一些缺點如禁帶寬度相對較窄，使其在實際中的應用受到限制。為了克服或者降低WO3本身的缺陷，需要對W03進行修飾。分別採用添加Ni(OH)2催化劑，製備FTO/W03/BiV04複合膜和對W03薄膜的表面形貌進行改善的方法對W03薄膜進行改性，並進行光電化學研究，可得到一些初步的結果。

(1)通過簡單的溶膠凝膠一浸漬法，經過高溫退火後製備出FTO/W03/Ni(OH)2三氧化鎢薄膜光電極。產物經XRD, SEM, DRS, Raman, CV等方法表徵。通過該實驗，發現不修飾Ni(OH)2的裸露三氧化鎢電極幾乎沒有光電催化葡萄糖的效果;在三氧化鎢薄膜的表面修氫氧化亞鎳能夠增強三氧化鎢薄膜的光電效應。

(2)採用了比較簡便的溶膠一凝膠法方法:滴塗一鍛燒一滴塗一鍛燒的方法合成了FTO/W03/BiV04複合膜。通過XRD, DRS， SEM和拉曼的表徵方法，對複合膜和純WO3和純BiV04薄膜進行了比較，進而也對這三種光電極的光電化學性質進行了比較。發現FTO/W03/ BiV04複合膜電極在光解水反應中電流最大。

(3)使用一種簡單的硬範本法一步制得了多孔三氧化鎢光電極用於光解水的實驗。通過XRD, DRS, SEM，拉曼和電化學性質的測試我們得出當硬膜板介空碳的百分含量為10%時，我們制得的三氧化鎢薄膜光電極具有較好的光電化學性質。

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鎢青銅(TB)是一類典型的非化學計量比化合物，通常呈立方晶體或四方晶體。不溶于水，也不溶於除氫氟酸以外所有的酸，但溶於鹼性試劑。其化學式可寫為MxWO₃ (x =0~1)，其中，常見的是M 為第一、二主族元素和稀土元素的鎢青銅。M 的品種和 x 數值的變化，可使它具有導體或半導體性質。結晶化學研究證明，鎢青銅實質上是鹼金屬原子插入WO₃晶格之後而形成的固溶體。當所有的空位皆被充滿後，得到的化合物便是 MWO₃。鎢青銅的形成與鎢的可變原子價有關，如果只是部分空位被鹼金屬的原子所置換，則一部分鎢原子將由六價變為五價。

鎢青銅有著特殊的空間隧道結構，通常按照晶體結構進行分類，即分為鈣鈦礦結構鎢青銅(PTB)、四方結構鎢青銅(TTB)、六方結構鎢青銅(HTB)和共生結構鎢青銅(ITB)。由於鈣鈦礦狀鎢青銅和六方鎢青銅往往是非化學計量的化合物，因此可合為一類，即非化學計量的化合物。鎢青銅中W 以W6+、W5+和W4+等混合價態存在，從而使化合物整體電荷平衡。隧道結構和這種特殊的價態使其具有優異的性能，如電子和離子導電性、超導性、光學性能等。其在二次電池、電制變色和化學感測器等方面的應用引起廣泛的研究興趣。

1.非化學計量的鎢青銅
鈣鈦礦狀鎢青銅（PTB）和六方鎢青銅（HTB）是一類特殊的非化學計量鎢青銅化合物，其通式為MxWO₃（0<x<1），M通常是鹼金屬K、Na等，也可以是Ca、Sr、Ba等鹼土金屬和稀土元素以及Cu、Ag、H等。這類化合物具有鮮豔的顏色、金屬光澤、高的電導率以及快離子傳輸性質，其電導率可以達到2.5X106 S/m，而且是一種低溫超導體。

2.共生鎢青銅（ITB）
這類鎢青銅化合物是符合化學計量的，一般含B2O62-的共生鎢青銅（ITB），是由於O不足或者含有額外的B離子，或BO團佔據最大的間隙位置而形成的。通常，根據B位元離子的價態將其表示成（AO）m.(B₂O₅)n或者（AO）m.(BO₃)n，故稱其為共生鎢青銅，主要有BaO。（Nb₂O₅）₂、BaO.(Ta₂O₅)₂、Nb₈W₉O₄₇。最近研究發現MxWO₃(M=K, Rb, Cs, x=0.19~0.33)形成六方鎢青銅（HTB）。但隨著x降低（x<0.10），六方鎢青銅變得不再穩定，而形成共生鎢青銅，其中WO₃層與六方鎢青銅交替構成，因此現在將其稱為准二維鎢青銅。

3.四方鎢青銅
鎢青銅結構中的四方鎢青銅最常見、應用最廣泛，也是研究的焦點（其中許多正交鎢青銅結構是TTB的超結構，故這裏將其也歸為TTB這類）。因此通常所說的鎢青銅結構主要指TTB。

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