钨钢(金属)陶瓷皮带扣
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年4月07日 星期日 11:15
- 点击数:3287
本发明提供一种钨钢(金属)陶瓷皮带扣,主要由面板和皮带扣板组成。
1)面板由整块钨钢或金属陶瓷制作,其正面有一点弧度,背面有四个凸柱,凸柱有内螺纹,背面还有一凸起的框槽;
2)皮带扣板是一方形不锈钢簿片,其上打有四个与凸柱相配合的孔,同时还固定有一皮带扣柱,皮带扣板通过螺钉固定在凸柱上。
使用时,皮带不带眼的一端穿过面板上的框槽被皮带扣板固定在凸柱上,皮带扣柱插在皮带另一端的眼里。这种钨钢或金属陶瓷皮带扣的面板由于是整体,所以不会断裂,另外,为了美观可在面板的表面制作各种图案。
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钨铜连接方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年4月07日 星期日 11:09
- 点击数:3550
本发明提供一种钨铜连接方法,步骤如下:
1)在钨的连接表面加工出波形沟槽;并将该波形沟槽连接面打磨,然后清洗;
2)将纯铜的一面加工成与钨连接面大小相同的平面,并将该平面打磨,然后清洗;
3)熔覆:将纯铜平面置于钨的波形沟槽连接面上,共同放入石墨模具内,置于真空扩散炉中,升温至1150~1200℃,保温10~40分钟,使纯铜在钨的波形沟槽连接面上形成一均匀的熔覆层,然后缓慢冷却;
4)将钨的熔覆层磨平,之后用丙酮超声清洗,吹干后备用;
5)将铜合金的连接面磨平,之后用丙酮超声清洗,吹干后备用;
6)叠放装配:将步骤4)、5)处理后的钨、铜合金的连接面相对叠合为焊件,置于扩散炉真空室中,并用上、下压头压紧;
7)真空扩散焊:将焊件加热至850~900℃,保温45~90分钟,连接压力3~12MPa,真空度为3×10-3Pa,保温时间结束后,焊件随炉冷却,待真空室温度冷却至100℃以下时,即可开炉取出连接好的焊件。
本发明方法不采用钎料或着中间层,工艺操作简便、成本低、连接效果好,为钨与铜异种金属连接开辟了新的途径,便于推广应用。
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制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年4月03日 星期三 16:27
- 点击数:3457
本发明提供一种新的制备钨铜热沉和电子封装材料的工艺。包括粉末准备,添加诱导剂及混料,模压自动成型和等静压覆压,预烧结,液铜浸渗工艺步骤。步骤如下:
1)粉末准备:取纯度≥99.95%,平均费氏粒度为3~8微米的钨粉,取纯度≥99.95%,平均粒度为-300目的电解铜粉待用;
2)添加诱导剂及混料将所述电解铜粉作为诱导剂与所述钨粉在粉末混料机中混合均匀;
3)压制成型:包括将所述混合料按照预定形状模压自动成型,和对模压自动成型后的钨铜生坯进行等静压覆压处理;
4)预烧结:对步骤3压制成型后的钨铜生坯在钼丝炉中进行预烧结,得到钨铜合金坯体;
5)液铜浸渗 在渗铜炉中盛装纯度≥99.95%的液态电解铜,将预烧结得到的钨铜合金坯体浸入1200~1400℃的所述液态电解铜中进行液铜浸渗处理1~2.5个小时,该处理过程在还原性气体或还原性气体和惰性气体的混合气的保护下进行,而后将钨铜合金坯体从液态电解铜中提出,进行冷却,得到钨铜合金。
步骤2中所述电解铜粉的加入量占所述钨铜合金总重量的0~6%,步骤2中所述电解铜粉的加入量与步骤5中所述液态电解铜的渗入量之和占钨铜合金总重量的15~25%。
为克服现有的钨铜热沉和封装材料的品质不够优良,制备成本高、生产效率低的问题,采用该工艺制备钨铜热沉和电子封装材料所用成本低、生产效率高并且制得的钨铜热沉和电子封装材料结构致密、在各个方面都表现出优越的性能。
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钨酸锌晶体的掺杂去色工艺
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年4月01日 星期一 14:59
- 点击数:4181
本发明提供一种钨酸锌晶体的掺杂去色工艺,属于钨酸盐系列晶体制作领域。这种工艺一般以Sb2O3或Bi2O3或银作掺杂去色剂,步骤如下:
1)在去色时,先要把ZnO、WO3和掺杂材料研成粉末混匀后装入坩锅内,装入浮力提拉单晶炉中;
2)以ZnWO4晶体为籽晶,加温到1230℃左右以生长出无色钨酸锌晶体,其ZnWO4的总重量与掺杂材料的重量比、提拉速度、旋转速率和降温速率等参数是因掺杂材料而异的。它以Nb2O5为掺杂材料,它与ZnWO4的总重量之比为2×10-5~1×10-4,其提拉速度在3~6mm/h、旋转速率在20~30转/分、生长结束后的降温速率在40~60℃/h之间,可得到无色的大尺寸钨酸锌晶体,发光性能与纯钨酸锌晶体无异,能量分辨率可达13%~14%。
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钨酸盐单晶的制备方法
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 14:41
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本发明提供一种钨酸盐单晶的制备方法。步骤如下:
1)用分子式为XⅡWO4或XⅠXⅢ(WO4)2(其中,XⅠ表示一价金属元素,XⅡ表示二价金属元素,XⅢ表示三价金属元素)的钨酸盐生产钨酸盐单晶,所述钨酸盐是通过一起加热三氧化钨和二价金属氧化物或碳酸盐,三氧化钨和一价金属氧化物或碳酸盐以及三价金属氧化物,或它们的氧化物或碳酸盐而获得的;
2)在氧分压低于大气中氧分压的系统中,在100~1550℃下加热上述的氧化物和/或碳酸盐,然后加热生长的钨酸盐单晶而获得的所说的钨酸盐单晶。
其可以用作为探测辐射如X-射线或γ-射线的闪烁体,此外,所述钨酸盐单晶具有提高的热导率,其可以用作为双波长激光器的激光器基质。
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高强度钨系低碳贝氏体钢的生产方法
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 14:23
- 点击数:3509
本发明提供一种具有高强度钨系低碳贝氏体钢的生产方法。
采用TMCP+回火方法进行生产,可生产抗拉强度为800N/mm2级别以上的钢。具有低焊接裂纹敏感性系数、低碳含量、低成本及生产工艺简单等特点,解决了调质钢种的碳含量和碳当量高及焊接性能差等问题。该钢种可以广泛应用于工程机械、煤矿机械等领域。
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含钨基材的抛光方法
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 14:02
- 点击数:3493
本发明提供一种通过使用包含钨蚀刻剂、钨蚀刻抑制剂及水的组合物来化学-机械抛光含钨基材的方法。其中该钨抛光抑制剂为包含至少一个重复基团的聚合物、共聚物或聚合物共混物,该重复基团包含至少一个含氮杂环、或者叔或季氮原子。本发明进一步提供在含钨基材的抛光中尤其有用的化学-机械抛光组合物。步骤如下:
1)使基材与抛光垫及化学-机械抛光组合物相接触,该化学-机械抛光组合物包含:(i)钨蚀刻剂,(ii)钨蚀刻抑制剂,其中该钨蚀刻抑制剂为包含至少一个重复基团的聚合物 、共聚物、或聚合物共混物,该重复基团包含至少一个含氮杂环、或者叔或季氮原子,其中该钨蚀刻抑制剂以1ppm至1000ppm的量存在,及(iii)水;
2)相对于该基材,移动具有位于该基材和抛光垫之间的该抛光组合物的该抛 光垫;
3)研磨该基材的至少一部分以抛光该基材。
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钨冶金原料制取金属钨粉的工艺
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 13:53
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本发明提供一种由钨冶金原料制取金属钨粉的工艺。本发明
1)将粗Na2WO4溶液浓缩结晶回收过剩碱后,将浓缩结晶所得的钨酸钠晶体溶解;
2)在Na2WO4溶液中WO3浓度为180~250g/l,pH值为7.5~8.5、WO3/NH4Cl的质量比为1.6~1.8、温度为85~100℃的条件下进行蒸发结晶;再按下面的反应生成铵钠复盐:10Na2WO4+6NH4Cl+12HCl+9H2O+18NaCl=3(NH4)2O·Na2O·10WO3·15H2O
3)将蒸发结晶产品直接在氢气中在350~450℃下气氛下处理2小时,得“类兰钨”,或在600~700℃下锻烧成“类黄钨”;
4)在750~850℃下氢还原,水洗除去Na2WO4即可得金属钨。
该工艺流程短,不需要除杂转型过程,节省了投资;基本上没有废气、废水排放;全流程基本封闭,为进一步提高金属回收率创造了有利条件。
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钍钨丝的制造方法
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 12:08
- 点击数:4043
本发明提供一种钍钨丝的制造方法。步骤如下:
1)将一定量的硝酸钍溶液添加到氧化钨中,制成掺杂氧化钨粉;
2)所获得的掺杂氧化钨粉还原获得钍钨粉;通过酸洗对钍钨粉去除杂质后,再将钍钨粉制成烧结体;
3)采用压力加工工艺,得到所需直径且二氧化钍的重量含量在0.7~1.1%之间的钍钨丝,并用线盘卷绕;
4)最后对钍钨丝进行矫直处理。
该种方法制得的钍钨丝绕制钨线圈时,能够提高绕制成品率、节约成本,且优化钨线圈的工作性能。
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钨酸汞纳米材料制备方法
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- 发布于 2013年4月01日 星期一 11:54
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本发明提供一种钨酸汞纳米材料的制备方法。步骤如下:
1)分别称取0.01~0.02mol的汞盐和钨源,将其置入到一个45ml带聚四氟乙烯内衬的高压釜中,往高压釜中添加蒸馏水至高压釜容积的3/4,再向反应溶液中通入N2去除掉溶液中的溶解氧,封闭高压釜后将其置于烘箱中,于140~200加热2~12小时,反应结束后关闭烘箱,高压釜梯度冷至室温,其中所述的汞盐与钨源的摩尔比为1:1,汞盐选自HgCl2或Hg(NO3)2其中的一种,钨源选自Na2WO4、K2WO4]或H2WO4其中的一种;
2)将反应釜中的上层清液用胶头滴管吸出,下层沉淀置于烧杯中,用超声处理5分钟~6小时,然后静置1~5小时,接着离心分离:
3)将离心分离得到的沉淀产物依次用蒸馏水、丙酮和无水乙醇分别清洗三次,最后得到终产物钨酸汞纳米材料。
本发明原料易得,成本低廉,操作简单,仪器设备简便,产物形貌、结构易控,纯度高,处理方便,易于工业化。
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