二碲化钨纳米片的生产

二碲化钨纳米片(WTe2纳米片)凭借着其良好的半金属性能、较强的电子传输能力以及较多的活性位点等优势,有望成为电化学析氢反应的重要催化剂。因此,文档序号为23479949的专利的研究者提供了一种操作简单、成本低廉且程序可控的生产方法,具体步骤如下:

二碲化钨纳米片结构图

(1)在配制好的钨酸钠溶液中逐滴加入硝酸溶液,直到pH值为2;(2)取步骤(1)的溶液到高压釜中,将碳布清洗干净后放入高压釜中并密封,在170-190℃下保持12小时;(3)将高压釜冷却至室温后,取出碳布,清洗幷干燥处理后于330-370℃下煅烧12小时,得到三氧化钨/碳布(WO3/CC);(4)将上述制备的WO3/CC 放入管式炉进行煅烧,升温至550-650℃,同时将适量碲粉放到管式炉的上游区域,使得这块上游区域的反应温度为450℃,同时通入氩气和氢气,管式炉保温一段时间,后随炉冷却至室温即可。

三氧化钨图片

该生产方法的注意事项:1)步骤(2)中的碳布清洗依次用高锰酸钾,去离子水和乙醇超声清洗;1)步骤(3)中的碳布清洗用去离子水和乙醇冲洗数次,幷于80℃下在环境空气中干燥。

该生产技术的优点:在其它实验条件不变下,通过控制管式炉的保温时间,可以控制WTe2纳米片的大小和厚度;选用碳布作为基底,在其表面合成WTe2纳米片,可以暴露出更多的活性位点,有利于电催化析氢;适合进行大规模制备。

 

 

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