二硫化钨薄膜的新生产方法

化学气相沉积法（CVD）常用来制备大面积大尺寸二硫化钨（WS2）薄膜，但是利用该方法生产的WS2单分子层的可控生长较为困难。因此，下面将大家介绍一种二硫化钨薄膜的新生产方法。其具体步骤如下：

（1）取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管（直径1英寸）内。

（2）将基底（尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm），用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处。

（3）向石英舟内加入1～5ml去离子水。

（4）开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气（5%H2），载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，幷同时关闭载气气流停止输入载气。

（5）将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min。温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min。

（6）石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得二硫化钨薄膜。

该生产方法的注意事项如下：

1）步骤（1）所述WS2为WS2固体粉末、氧化钨和硫或金属钨和硫磺。

2）步骤（2）所述基底为表面生长有氧化层的硅片（SiO2/Si）、石英玻璃、氮化镓或蓝宝石。

总的来说，该方法以WS2固态粉末为硫源和钨源，表面生长有氧化层的硅片为基底，水蒸汽为矿化剂，采用CVD法在基底表面生长WS2二维薄膜材料。该产品的制备重复性好、薄膜厚度可控、结晶度高。

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