新型WSe2光电极的制备方法

p型WSe2之所以能很好地成为光电极产氢的理想材料，是因为它具有以下3个优势：（1）带隙窄，易于光电化学产氢；（2）具有较高的载流子迁移率；（3）光电转换效率仅次于硅，但光稳定性高于硅。据悉，目前提高二硒化钨光电催化活性的方法主要使用负载，如铂、钌一类的贵金属及其相应复合物，由于负载材料价格昂贵且地球含量低，极大地限制该类材料在光电催化分解水方面的实际应用。针对上述的不足，下面将为大家介绍一种WSe2基复合纳米片光电极的生产方法。其具体步骤如下：

一、合成WO3纳米片光电极；

二、合成二硒化钨纳米片光电极：

2.1称取四氯化硒，平铺于瓷舟内，瓷舟上方放置WO3纳米片光电极，然后置于石英管内，英管的两端用由锡纸包裹的石英塞子塞住，然后通氩气，之后关闭气体，煅烧；

2.2待冷却至室温，从石英管中取出步骤2.1中最终得到的产物，用蒸馏水和无水乙醇交替清洗，然后置于真空干燥箱中烘干，即可制得WSe2纳米片光电极；

三、合成CdS-WSe2异质结光电极：

3.1将步骤二制得的WSe2纳米片光电极置于浓氨水中，加入然后置于水浴锅中，在水浴条件下进行吸附，吸附完毕后，加入硫脲，水浴条件下沉积；

3.2反应结束后，用镊子将步骤3.1得到的产物取出，用蒸馏水冲洗，然后置于真空干燥箱中干燥，即可获得CdS-WSe2异质结光电极；

四、合成In2S3-CdS-WSe2光电极

4.1将CdS-WSe2异质结光电极置于19mL水中，依次加入冰醋酸和In2(SO4)3，然后置于水浴锅中，在水浴条件下进行吸附，吸附完毕之后，加入硫代乙酰胺，水浴条件下沉积；

4.2反应结束后，用镊子将步骤4.1最终得到的产物取出，用蒸馏水冲洗然后置于真空干燥箱中烘干，即可获得In2S3-CdS-WSe2光电极；

五、合成Pt-In2S3-CdS-WSe2复合纳米片光电极

5.1将Na2SO4溶于水，然后加入H2PtCl6.6H2O，不断搅拌下稀释，即可获得含有H2PtCl6.6H2O的硫酸钠溶液；

5.2取步骤5.1得到的H2PtCl6.6H2O的硫酸钠溶液置于光电化学池中，采用三电极系统，以Pt为对电极，饱和甘汞为参比电极，以In2S3-CdS-WSe2光电极为工作电极，使用时间电流曲线法，设定电压-0.1V，时间为600s，然后打开氙灯，点击运行系统；

5.3反应结束后，用镊子将步骤5.2最终得到的产物取出，用蒸馏水冲洗，然后置于干燥箱中烘干，即可得到Pt-In2S3-CdS-WSe2复合纳米片光电极。

该生产方法的优势在于：原料来源丰富、路线简单、重复性好、产品稳定性高。

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