硅基氧化钨气敏性能研究

过渡金属氧化钨是一种各方面物理化学性能都极为优异的N型半导体材料，其因气敏性出色、量子尺寸效应显著的原因，而常用来生产高质量的气体传感器。但是单纯的氧化钨组分并不能完全发挥它的功能，因此材料科学家表示可以非金属硅元素来修饰它。接下来主要介绍的是硅基氧化钨气敏性能的研究。

利用电化学腐蚀方法制备n型有序多孔硅，并以此为基底用直流磁控溅射法在其表面溅射不同厚度的氧化钨薄膜。利用X射线和扫描电子显微镜表征了该材料的成分和结构， 结果表明，多孔硅的孔呈柱形有序分布，溅射10min的WO3薄膜是多晶结构，比较松散地覆盖在整个多孔硅的表面，分别测试了多孔硅和多孔硅基氧化钨在室温条件下对二氧化氮的气敏性。结果表明，相对于多孔硅来说，多孔硅基氧化钨薄膜对二氧化氮的气敏性能显著提高。对多孔硅基氧化钨复合结构的气敏机理分析认为，多孔硅和氧化钨薄膜复合形成的异质结对良好的气敏性能起到主要作用，氧化钨薄膜表面出现了反型层引起了气敏响应时电阻的异常变化。

资料扩散：气敏性是气体敏感性能的简称，一般指材料某一性能如电阻等在通入某气体（如乙醇，甲烷，氢气等）发生变化，而气敏性就是用来表示这种变化的程度，变化程度越大，说明气敏性越好。气敏性的综合性能还包括：响应及恢复时间，最佳响应温度，灵敏度，稳定时间长短等。

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