碳化硅存在着约250种结晶形态。由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。这些多形体的晶体结构可被视为将特定几种二维结构以不同顺序层状堆积后得到的，因此这些多形体具有相同的化学组成和相同的二维结构，但它们的三维结构不同。

α-碳化硅(α-SiC)是这些多型体中最为常见的，它是在大于1700°C的温度下形成的，具有类似纤锌矿的六方晶体结构。具有类似钻石的闪锌矿晶体结构的β-碳化硅(β-SiC)则是在低于1700°C的条件下形成的。β-碳化硅因其相较α-碳化硅拥有更高的比表面积，所以可用于非均相催化剂的负载体。
纯的碳化硅是无色的，工业用碳化硅由于含有铁等杂质而呈现棕色至黑色晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生的二氧化硅钝化层所致。

碳化硅高达2700°C的升华温度使得它适合作为制造轴承和高温熔炉的部件。它本身也具有较高的化学惰性。由于其相较于晶体硅具有更高的热电导率、电场击穿强度和最大电流密度，所以在高功率的半导体材料方面具有更好的应用前景。此外碳化硅的热膨胀系数也非常低（4.0×10-6/K）同时也不会发生可能引起的不连续性热膨胀的相变。

电导率
在碳化硅中掺杂氮或磷可以形成n型半导体而掺杂铝、硼、镓或铍形成p型半导体。在碳化硅中大量掺杂硼、铝或氮可以使掺杂后的碳化硅具备数量级可与金属比拟的导电率。掺杂Al的3C-SiC、掺杂B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的温度下拥有超导性，[24][26]但掺杂Al和B的碳化硅两者的磁场行为有明显区别。掺杂铝的碳化硅和掺杂B的晶体硅一样都是II型半导体,但掺杂硼的碳化硅则是I型半导体。

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磨料和切割工具
由于金刚砂的耐用性和低成本，在现代宝石加工中作为常用磨料使用。金刚砂凭借其硬度使它在制造业中诸如砂轮切割、搪磨、水刀切割和喷砂等磨削加工过程。将碳化硅粒子层压在纸上就能制成砂纸和滑板的握带。
1982年由氧化铝和碳化硅须晶构成的超强复合材料问世，经过随后三年的发展这种复合材料走出实验室成为商品。1985年先进复合材料公司和Greenleaf公司推出了新的商品化切割工具，工具就是由氧化铝和碳化硅须晶组成的加强型复合材料所制造的。

结构材料
在二十世纪80至90年代，几个欧洲、日本和美国的高温燃气涡轮机研究项目对碳化硅做了研究，项目的目标均打算以碳化硅代替镍高温合金制造涡轮机叶片或喷嘴叶片。但这些项目无一实现量产，主要原因在于碳化硅材料的耐冲击性和断裂韧度低。
不同于其他陶瓷材料比如氧化铝和碳化硼，碳化硅可用于制造复合装甲（比如乔巴姆装甲）和防弹背心中的陶瓷板。

天文学
碳化硅具备的低热膨胀系数、高的硬度、刚性和热导率使其能够作为天文望远镜的镜面材料。通过化学气相沉积制造的直径达3.5米和2.7米的多晶碳化硅圆盘已被分别安装在赫歇尔空间天文台和同温层红外线天文台等几个大型天文望远镜上。

催化剂载体
碳化硅本身的抗氧化性质和立方β-SiC所具有的大比表面积使其可作为非均相催化剂的载体。通过稻壳炭化合成的β-SiC已被用于作为非均相催化剂的载体应用于催化诸如正丁烷氧化生成顺丁烯二酸酐这类烃类的氧化反应。

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国家发展和改革委员会近日决定，暂缓执行《产业结构调整指导目录（2011年本）（修正）》中关于2014年底淘汰氰化金钾电镀金及氰化亚金钾镀金工艺的规定。

镀金材料和镀金产品广泛应用于精密电子仪器、精密仪表、航空航天、数控机械设备、电子元器件、电路板、线路产品接插件等。长期以来，含氰化物镀金工艺是国内外镀金行业采用的主流工艺，但氰化物毒性极强，镀金过程中操作人员安全和环境安全隐患很大。

指导目录发布后，部分行业协会就限期淘汰氰化镀金工艺规定提出意见和建议。由于当初调整《产业结构调整指导目录（2011年本）》时的基础条件已发生重大变化，淘汰规划暂缓执行

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镀金分为两类，一类呈同质材料镀金，另一类是异质材料镀金。

同质材料镀金是指对黄金首饰的表面进行镀金处理。它的意义是提高首饰的光亮性及色泽。异质材料镀金是指对非黄金材料的表面迸行镀金处理，如银镀金，铜镀金。它的意义是欲以黄金的光泽替代被镀材料的色泽，从而提高首饰的观赏效果。

另外镀金按被镀件的特性分主要有两大类:

1.金属件上镀金
2.非金属件上镀金

所以镀金废料按被镀件的特性分同样有对应的两大类:
1.金属件镀金废料
2.非金属件镀金废料
非金属镀金包含玻璃上镀金,塑料上镀金,陶瓷上描金等,因为其废料上的金很容易回收,从金属件镀金废料中回收黄金的技术问题来分.金属件镀金废料,以后称镀金废料,
金合金镀层的品位是依照镀层中的含金量进行换算，纯金以24K来表示。比如l8K金其含金量为l00g×18/24=75g。因此K金及含金量如下：
14K 含金54．2—62．5%；
16K 62．6—70．8%：
18K 70．9—79．2%：
20K 79．3—87．5%：
22K 87．6～95．9%：
24K 95．9%以上。

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镀金层外观为金黄色，具有很高的化学稳定性，只溶于王水，不溶于其它酸。金的原子价为一价和三价。一价金的标准电位φ°Au+/Au为+1.68V，三价金的标准电位φ°Au3+/Au为+1.50V。对钢、铜、银及其合金基体而言，金镀层为阴极性镀层，镀层的孔隙影响其防护性能。
镀金层延展性好、易抛光、耐高温，具有很好的抗变色性能。在银层上镀金可以防止银的变色；金合金镀层可呈现多种色调，故常用作装饰性镀层，如镀首饰、钟表零件、艺术品等。
镀金具有较低的接触电阻、导电性能良好、易于焊接、耐腐蚀性强、并具有一定的耐磨性（指硬金），因而在精密仪器仪表、印制电路板、集成电路、管壳、电接点等方面有着广泛的应用。

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电磁屏蔽是电磁兼容技术的主要措施之一。即用金属屏蔽材料将电磁干扰源封闭起来，使其外部电磁场强度低于允许值的一种措施；或用金属屏蔽材料将电磁敏感电路封闭起来，使其内部电磁场强度低于允许值的一种措施。

防止外来电磁波对要保护的相关设备的干扰！

现在我国很多大型考试，比如高考、研究生考试、公务员考试等。都有使用电磁屏蔽技术，以防止作弊行为影响考试的公正公平。

静电屏蔽

用完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来，在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷，外侧出现与带电导体等量的正电荷，如果将金属屏蔽体接地，则外侧的正电荷将流入大地，外侧将不会有电场存在，即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。

交变电场屏蔽

为降低交变电场对敏感电路的耦合干扰电压，可以在干扰源和敏感电路之间设置导电性好的金属屏蔽体，并将金属屏蔽体接地。交变电场对敏感电路的耦合干扰电压大小取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。只要设法使金属屏蔽体良好接地，就能使交变电场对敏感电路的耦合干扰电压变得很小。电场屏蔽以反射为主，因此屏蔽体的厚度不必过大，而以结构强度为主要考虑因素。

交变磁场屏蔽

交变磁场屏蔽有高频和低频之分。低频磁场屏蔽是利用高磁导率的材料构成低磁阻通路，使大部分磁场被集中在屏蔽体内。屏蔽体的磁导率越高，厚度越大，磁阻越小，磁场屏蔽的效果越好。当然要与设备的重量相协调。高频磁场的屏蔽是利用高电导率的材料产生涡流的反向磁场来抵消干扰磁场而实现的。

交变电磁场屏蔽

一般采用电导率高的材料作屏蔽体，并将屏蔽体接地。它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。屏蔽体的厚度不必过大，而以趋肤深度和结构强度为主要考虑因素。
电磁屏蔽测试

电磁屏蔽测试是利用屏蔽箱原理做电磁干扰测试，用屏蔽箱可以提供一个良好的测试环境，是EMI、手机测试[1]、wifi测试等无线电磁测试的必须设备。
 

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由于医疗技术日新月异，生活中辐射越来越多，已造成新的困扰， 这些射线有X射线，伽马射线，α射线，β射线等。為了保护病人以及医护人员，有必要使用钨合金设备来屏蔽这些有害辐射。

钨合金遮罩件的具体运用如下：

放射性源盛放器

伽马辐射遮罩

遮罩块

石油钻井设备

X射线瞄準仪

钨合金PET 遮罩件

癌症治疗设备遮罩

钨合金遮罩件可以很好的保护人们，避免有害辐射。与 AMS 21014 和 ASTM B777 材料标準相符,

材料化学性能    90WNiFe    90WNiCu    92.5WNiFe    95WNiFe    95WNiCu

密度 (g/cm3)    17.1    17.0    17.5    18.0    18.0

硬度(HRC)    25    25    26    27    28

极限抗拉强度 (kpsi)    120    110    115    110    100

屈服抗拉强度 (kpsi)    85    75    80    80    75

延伸率 (%)    3    10    7    5    2

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钨合金屏蔽件由来

由于医疗技术日新月异，生活中辐射越来越多，已造成新的困扰， 这些射线有X射线，伽马射线，α射线，β射线等。为了保护病人以及医护人员，有必要使用钨合金设备来屏蔽这些有害辐射。

钨合金屏蔽件的优势：

研究人员发现防辐射能力和材料密度有关，密度越大屏蔽性能越好。钨合金有着很大的密度，所以它的屏蔽性能很高，且钨合金产品是环保产品，比铅的产品更少有危害。

钨合金产品是用来做屏蔽件的最佳材料， 且易加工无毒。

钨合金屏蔽件的运用：

· 放射性源盛放器

· 伽马辐射屏蔽

· 屏蔽块

· 石油钻井设备

· X射线瞄准仪

· 钨合金PET 屏蔽件

· 癌症治疗设备屏蔽

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天然莫桑石可追溯到十九世纪后期，莫桑石一词来源于Henri Moissan博士，1904年他在亚利桑那陨石坑中发现了这种矿物。莫桑石（碳化硅的一种）也称为carborundum，大部分莫桑石均为人工合成，天然莫桑石非常稀少，仅出现在陨石坑内，其颜色多为暗绿色、黑色。多年来主要用作磨料，近年来研究开发在电子领域的应用，如用于发光二极管材料。合成莫桑石的颜色多为I或I色级以下，一些莫桑石带有浅绿色色调，这说明莫桑石的外观与钻石不完全相同。

相关区别

乍看之下，莫桑与钻石无法分别，甚至连仪器也区分不出，但仔细看会发现莫桑的七彩火光比钻石更强。在专业仪器下测试，莫桑的火光是钻石的2.5倍。在火光上，钻石是0.044，莫桑是0.104；在折射度上，钻石是2.417，莫桑是2.65，莫桑的火光及折射度都超过钻石。在摩氏硬度上，钻石是10，莫桑是9.25，远高于其它宝石。但莫桑的售价平均是同等级钻石的十分之一。
莫桑石与钻石鉴别：
1、比重：莫桑石比钻石轻，即它们的比重不同，钻石的比重为3.52，而莫桑石的比重仅3.22。对未镶嵌的材料，用甲基碘比重液（比重3.32）很容易将两者区分。
2、硬度：莫桑石的硬度小于钻石，因此用钻石硬度计在莫桑石表面作刻划试验会留下划痕，而刻划计不会在钻石表面留下划痕。
3、导电性：据GIA的报告，80%的莫桑石均为电导体（天然钻石中仅蓝色、蓝灰色IIb型钻石具导电性）。常见的白/浅黄色系钻石是不导电的，因此可用电导仪或者莫桑仪鉴别钻石与莫桑石。
4、折光率：莫桑石的折光率与钻石不同，莫桑石的反光特征也不同于钻石，有经验的钻石鉴定人员可将二者区分；此外，莫桑石具双折射，因此仔细观察不难看出莫桑石棱线及底尖的重影，此时变换观察角度，重影仍会出现。
5、二轴光特性：由于莫桑石的二轴光性特征，其重影特征的观察取决于观察的角度，当从台面主刻面观察重影均较明显，尽管台面垂直莫桑石晶轴c轴时会减小重影效果，聚焦于底尖仍能看到台面及冠部刻面的反射重影，这种特点与单折射的钻石的冠部反射完全不同。
6、抛光纹：莫桑石的腰部抛光纹相互平行，这与钻石完全不同。而且由于不同方向的差异，钻石抛磨过程中要不断调整抛光方向，而莫桑石可沿同一方向抛光。这一点在相邻刻面间尤为明显。
7、切割：大多数已切割的莫桑石其棱线均较为圆钝，这与具尖锐棱线的钻石完全不同。
8、内含物：钻石的内含物与莫桑石内含物不同。目前所有鉴定过的莫桑石中都有一些内含物，它们呈针状平行排列。一些莫桑石内可见细的平行排列的反射线。

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科学家发现钨合金材料最适用于等离子技术。由于等离子技术用钨合金具有耐腐蚀性，等离子技术用钨合金可承受气态物质的腐蚀。等离子技术用钨合金也具有耐高 温的属性，即使在高温环境下依然能够保持其属性。此外，等离子技术用钨合金还具有良好的导热性，等离子技术会产生大量的能量，等离子技术用钨合金有利于散热。

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