麻质镖靶的制作工艺(一)

麻质镖靶是现代最流行、质量最好的飞镖靶,也是各项正规比赛的指定用飞镖盘。

材质:采用肯尼亚一级剑麻制作

镖靶重:5.5公斤重

镖靶直径:18英寸(456MM)

镖靶厚度:1.5英寸(38MM)

 

 

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镖靶的保养方法

镖靶的保养方法:

1镖靶的周围和正下方要有适当的缓冲物,以免投镖时会损坏墙面,地面,损坏飞镖。

2镖针要经常用磨头油石磨,以保持尖度,否则拔镖时会倒刺把麻纤维带出,增大靶面的破坏程度。

3经常落镖的地方破损程度大,可将镖靶先旋转一个角度在调节分数圈,使黑色分割对准正上方的20分。

4镖靶的保养很重要,镖杆,尾翼是整套飞镖的易损件。

 

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表面活性剂对仲钨酸铵物理性质有什么影响?

在研究微米级仲钨酸铵制备工艺时分别采用阴、阳离子表面活性剂和非表面活性剂进行试验。结果表明:阴、阳离子表面活性剂都能使仲钨酸铵晶粒细化,但阴离子表面活性剂对晶体细化效果更好;阴离子表面活性剂的加入时间和加入量对仲钨酸铵粒度影响很大,在蒸发结晶开始时加入(7~10)×10-3可使粒径降低至5μm,因为仲钨酸铵结晶介质以NH+4和[H2W12O42]10-形态向生长界面和节点扩散,在进入晶格位

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补加钨酸铵溶液与结晶时间对仲钨酸铵有什么影响?

成核期结束后补加钨酸铵溶液,可在不改变粒度分布条件下,提高结晶仲钨酸铵的Fsss粒度和松装密度,同时也可克服起始钨浓度高,产品粒度较细的缺陷,在较高设备产能下,制取流动性好的粗仲钨酸铵。对补加钨酸铵溶液的流速和开始补加的时间的研究结果表明:补加钨酸铵溶液速度快,产品中细颗粒仲钨酸铵略有增加;较晚加入则产品较为均匀,但80~98μm的颗粒减少,而98~125μm的颗粒增多。

蒸发结晶取决于升温时间(升温速度)和蒸发时间(蒸发速度)。升温速度快,溶液中大部分游离氨在短时间内被赶出,溶液pH下降很快,从而因过饱和度增大而快速形成较多晶核,颗粒变细。蒸发时间长,有利于小晶体不断溶解,大晶体不断长大。由于晶核生长速率主要受动力学条件制约,因而随反应时间延长,平均粒径也增大。反应时间长于8h后,平均粒径随时间延长没有太大变化,生长过程已接近热力学平衡,所以自生晶核后的高温热煮时间以8h为宜。

 

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飞镖运动介绍--选手准则

飞镖运动选手的准则有如下几点:

不要急于拔镖,一定要等计分员看清分数,并报出分数后再拔(根据规定,如选手在记分员记录得分之前从镖盘上拔镖,该轮得分可被计为零)。

在非大型正规的比赛中,自己应向计分员和对手报出分数。

不要报对方所得的分数。

不要探身看对手所得的分数。

比赛时自己用心计算分数,同时检查计分员所记分数是否正确,出现错误,要及时提出。

可以向计分员询问自己所投的每一镖的分数,以及一轮结束后剩余的分数。

一般规定,选手一轮3支镖要在2分钟内投出;如选手器材损坏,允许有3分钟的时间修理或更换器材。

选手如确有紧急原因要离开赛场,应在5分钟内返回。

在一方投镖时,另一方选手应站在其身后至少60厘米以外。

尊重计分员和对手。

飞镖运动的选手准则一定要牢记。

 

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,一定要等计分员看清分数,并报出分数后再拔(根据规定,如选手在记分员记录得分之前从镖盘上拔镖,该轮得分可被计为零)。

在非大型正规的比赛中,自己应向计分员和对手报出分数。

不要报对方所得的分数。

不要探身看对手所得的分数。

比赛时自己用心计算分数,同时检查计分员所记分数是否正确,出现错误,要及时提出

可以向计分员询问自己所投的每一镖的分数,以及一轮结束后剩余的分数。

一般规定,选手一轮3支镖要在2分钟内投出;如选手器材损坏,允许有3分钟的时间修理或更换器材。

选手如确有紧急原因要离开赛场,应在5分钟内返回。

在一方投镖时,另一方选手应站在其身后至少60厘米以外。

尊重计分员和对手。

 

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添加晶种对仲钨酸铵物理性质有什么影响?

由起始钨酸铵溶液浓度、晶种和所需产品的平均粒径可以确定晶种的加入量,但是添加晶种的时间、晶种的物理化学性质对仲钨酸铵晶体粒度、松装密度、粒度分布都有不同程度的影响。最早成核的核前缔合物形成时(按成核期推算出)加入晶种,能够获得Fsss粒度和松装密度最大的仲钨酸铵产品;加入完整的晶种能够获得理想的均匀仲钨酸铵产品;加入细碎晶体,虽然能够减少晶种的加入量,但由于部分“惰性晶粒”不生长或以不可测量的低速度生长以及二次成核加剧,使得仲钨酸铵结晶产品中小于45μm的晶粒较多。

 

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WO3薄膜的研究与应用(二)

(3)气体传感
 
环境气体影响材料电学性质的表现形式,一般地讲,就是材料的气敏性能。Shaver首先报道了wO3薄膜对H2及其它含氢气体(N2H4、NH3、H2S等)的气敏性能。近年来人们发现WO3材料对其它一些气体,特别是像氮氧化物这样的有毒气体也具有较好的敏感特性。w03材料对NO和H2S等有毒气体的敏感性能使在实际中对这些气体的探测成为可能,具有极为重要的应用价值。这方面的工作正在比较系统的深入展开,预计将在汽车尾气监测等方面得到实际应用。
 
(4)光解水制氢电极材料
 
日本学者Fujishima和Honda自上世纪六十年代末对光照n-型半导体TiO2电极导致水的分解从而产生氢气这一现象的发现,揭示了利用太阳能分解水制氢的可能性。作为太阳能分解水制氢的光电极材料必须满足以下几个条件:材料在电解液中要耐酸腐蚀;材料要能够耐光腐蚀;最关键的一点是材料要具有合适的禁带宽度。禁带宽度太低不能使水分解(使水分解的电压应在1.23v以上),禁带宽度太高,材料只能吸收太阳光中的紫外光,效率会太低。而氧化钨薄膜材料可以较好地满足上述条件,因而在太阳能光解水制氢领域具有很好的前景。
 
 
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搅拌对仲钨酸铵蒸发结晶有什么影响?

搅拌对蒸发结晶影响显著,因为蒸发过程伴随失氨的化学反应,并且搅拌还原性氨具有诱导成核作用。晶体长大是一传质、传热化学过程,而传质、传热阻力主要存在于晶体表面附近的滞流层内,因此增加固体与液体间的相对运动速度就能提高晶体的长大速度。在一定搅拌速度范围内,提高搅拌速度能增加固体与液体间的相对速度,从而加快晶核的长大速度,但达到某一搅拌速度后,再提高搅拌速度,反而会打碎晶体,搅拌使诱导期缩短;搅拌速度快,形成的旋涡直径大、高度深、流速快,溶液与锅壁的接触面积增大,热交换快。NH3的逸出加剧过饱和生成速度快,过饱和度增大;搅拌也使扩散速度加快,溶液的介稳区宽度缩小,Δc变小使诱导常数K下降。并且,搅拌速度增大后,晶体生长速率已由扩散控制转为表面反应控制, 搅拌对仲钨酸铵均相成核和二次成核的影响一直在增大,其中,对二次成核影响尤为显著,搅拌即可阻止聚集体的生成又可使晶体破碎和二次成核加剧,从相反方面影响仲钨酸铵的均一性。利用气体搅拌也能制得粒度分布均匀、颗粒规则的粗、细粒晶体。

 

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WO3薄膜的研究与应用(一)

三氧化钨薄膜具有良好的电致变色性能,并在电致变色领域得到了广泛的应用;同时,人们发现三氧化钨薄膜还具有许多其它优异的性能,以下分别作以简单介绍。
 
(1)光致变色
 
三氧化钨薄膜在紫外光照射下,能变为蓝色,在加热条件下又可以恢复到无色状态,表明三氧化钨薄膜是一种很好的光致变色材料。光致变色材料可用于光信息存储、生物分子活性的光调控、露光计、自显影感光胶片和全息摄影材料、光计算、防伪与装饰材料、印刷板、伪装材料和鉴伪等领域。下面以其在光全息存储方面的应用为例进行简单的说明。
 
光致变色材料曝光时,光致变色膜层的折射率将发生变化,尤其是记录波长与介质吸收谱非共振时,膜内部折射率可产生显著的变化。此时全息的衍射效应主要来源于折射率变化而不是介质吸收的改变。此时,光致变色材料可看作位相型记录材料。光致变色材料具有无颗粒和宽的动态范围特征,分辨率仅受一记录光的波长的限制,并且,记录光功率足够强,则不必采用干法或湿法显影,而只需光照就可以在原位记录或擦出全息图。
 
(2)催化降解
 
近年来,半导体氧化物光催化作为一项新的污染治理技术,日益受到重视。与其它方法相比,该方法具有高效节能、清洁无毒、无二次污染和工艺简单等特点,在污水处理及生活用水的深度处理等方面有着广阔的应用前景。w03的禁带宽度较低,利用可见光就能达到较好的降解效果。鉴于环境保护及可持续发展的要求,这是一个很有意义的研究与应用领域。
 
 
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WO3的基本物理化学性质

WO3分子量为231.85,理论密度7.16g/cm3,不溶于水,不溶于酸,微溶于HF,可溶于热碱、氨水。钨的外层电子构型为sd46s,因此在其化合物中可呈现+2,+3,+4,+5和+6共计5种价态,也常常出现不同价态共存的情况。WO3是钨的最高价氧化物,通常在WO3中氧的含量并不满足严格的化学计量比,以WO3-x的形式来表示。由于存在有一定程度的氧缺位,使得部分W6+离子还原为W5+离子,形成钨的五、六价混合价态氧化物。
 
WO3的分子式相当简单,但它的物理性质却十分的复杂。WO3的熔点据文献报道是1473℃,但在1100℃时就开始升华,升华热为459.8kJ/mol。严格满足化学计量比且无任何杂质的三氧化钨,应是无色透明的绝缘体,室温下其禁带宽度约为2.9eV。非化学计量的WO3-x则呈现n型半导体行为,禁带宽度2.4~2.8eV。由于WO3结构的相变,随着温度的变化,WO3的电阻率会出现跃变现象,其电阻率一般在0.3~10Ω·cm范围。
 
 
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