专家表示，非晶态WO3薄膜具有电致变色效应。其中，薄膜的结构相对疏松，因而有利于锂离子嵌入与抽出。但是，他们也发现了，在循环变色中，薄膜的结构逐渐被破坏，200次循环后光学调制幅度由48.0%降至3.0%，WO3变成棕黄色，不再可以循环变色。

掺杂WO3，更准确地说，纳米级掺杂三氧化钨是未来三氧化钨的研究重点。可能你们也知道，三氧化钨作为一种宽带系的Ｎ型过渡族金属氧化物，在电致变色、气体传感、光催化等方面具有良好的特性，且通过掺杂的方法可提高其电致变色、光致变色、气体传感、光催化等性能，从而使其广泛地应用在气体传感器、电致变色器件、光催化试剂等领域。

纳米WO3薄膜可以采用溅射镀膜法制备得到。例如，有专家在未抛光的Al2O3基片上，采用直流反应磁控溅射法制备了纳米级三氧化钨薄膜。专家表示，磁控溅射是常用的溅射镀膜法。那么，你们可是知道磁控溅射的原理是？

掺杂WO3薄膜可以采用电子束蒸镀法制备得到。其中，电子束蒸镀法是蒸发镀膜法中的一种，而后者又属于物理气相沉积法中的一种。有专家以WO3和CNT的混合粉末为原料，采用电子束蒸镀法在Al2O3基板上制得NWCNT掺杂WO3薄膜。

Ti掺杂WO3可以采用共溅射法制备得到。有专家就是采用的该法制备了Ti掺杂三氧化钨薄膜。他们发现改变反应条件，如，增加氧气室的压力，实验结果如下：

Ce掺杂氧化钨的制备可以采用固相烧结法实现，具有工艺过程简单、成本低的优点。那么，什么是固相烧结法？如何利用固相烧结法合成氧化钨或者掺杂氧化钨？

Co掺杂氧化钨可以通过水热法合成，具有粒径均匀、纯度较高、结晶性良好等优点。有专家分别在Na2WO4溶液和Co（NO3）2溶液中加入CTAB（十六烷基三甲基溴化铵），得到钨酸沉淀和钴酸沉淀，再将沉淀物转移至反应釜中水热反应12h，得到掺Co纳米WO3。

Pt掺杂氧化钨可以采用溶胶－凝胶法合成，具有工艺简单，设备成本低，反应过程可控，且便于规模化生产薄膜材料等优点。有专家采用溶胶－凝胶法合成掺Pt的WO3薄膜，过程如下：

Au掺杂氧化钨可以采用沉淀法制备得到，所得Au掺杂的WO3纳米粉末的粒径分布较均匀。其中，有专家采用化学沉淀法制备掺Au的WO3粉末：

Ni掺杂氧化钨可以采用磁控溅射法制备得到，所得粉末可以用于制备WO3薄膜。有专家以磁控溅射法制备Ni掺杂WO3，研究结果表明：

掺杂Ni后，WO3的可见光透过率降低而着色性能提高，且在低浓度掺杂时效果更明显，而在高浓度掺杂时效果降低；最佳Ni掺杂量在7.8%左右。