钨复合材料替代铅屏蔽

高密度材料在医疗器械、安检设备、航空航天及娱乐休闲等领域具有广泛的应用和发展潜力。特别是迅速发展的医疗领域和和核电领域,作为防高能射线屏蔽材料,高密度物质受更高的关注。

在高密度物质中,铅是广泛且成功应用于防辐射的材料。然而。铅在加工、运输与使用等过程中,都会有铅尘散发,产生潜在危害。因此,迫切需要一种环境友好、密度高的材料来替代铅材料。钨是一种化学性质很稳定的金属,密度高达19.4g/cm3,是理想的防辐射材料。但是钨金属硬度高、熔点高、脆等性质限制了其应用。钨复合材料是由两种物质混合而成的新兴材料: 聚合物作为填料,并与90%以上的钨粉混合,例如,97%的钨粉填充尼龙材料,最终产品的密度可高达13g/cm3。 因此,优化高密度含钨复合材料能够成为铅屏蔽材料的理想替代物,在于钨复合材料的高密度性质,可采用注塑的方法来加工,成本低、形状复杂,具有无可比拟的优势。

钨复合屏蔽材料

 

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Ho3+浓度对稀土掺杂钨酸钙:Ho3+/Yb3+多晶吸收光谱的影响2

以下为稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究中Ho3+浓度对Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶吸收光谱的影响。

Zn0.1Ca0.9WO4
Ho3+/Yb3+多晶在300nm左右紫外吸收峰强度直线下降,可以把此处作为紫外吸收边。随着Ho3+离子掺杂浓度的不断提高,Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶的紫外吸收边不断红移,但当Ho3+离子浓度达到2mol%时,吸收边逆转发生蓝移。此现象可由Zn0.1Ca0.9WO4多晶的晶格缺陷解释。根据第三章中对基质材料的分析,少量Zn2+离子的掺杂并没有改变CaWO4晶体原有的体心四方结构,Zn2+离子只是取代了晶格中Ca2+离子的位置。同样,掺杂Ho3+离子和Yb3+离子占据了Zn2+离子或Ca2+离子的位置,多余的正电荷由Zn2+离子或Ca2+离子的空位缺陷补偿。吸收边的移动与离子极化能力有关,不同离子的极化能力如表所示。

由表可以看出,Ho3+Yb3+离子的极化能力比Zn2+离子和Ca2+离子强。稀土离子的掺杂使Zn0.1Ca0.9WO4多晶中WO42-基团极化度增加,电子云变形性增大,自由电子跃迁所需能量减少,因此自由电子更易发生跃迁产生红移现象;当Ho3+离子浓度过大时,会使Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶内部能量急剧增加,自由电子被束缚在价带很难发生能级跃迁,因此吸收边发生蓝移。 

Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶的紫外吸收边先红移后蓝移,当Ho3+离子浓度为1.0mol%时,吸收边红移至最大,此时更易发生自由电子的能级跃迁,有利于上转换发光强度的提高。


 

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稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究-XRD表征

以下为稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究-稀土离子掺杂Zn0.1Ca0.9WO4样品XRD表征分析

采用高温固相反应法制备了Zn0.1Ca0.9WO42mol%Tm3+/6mol%Yb3+Zn0.1Ca0.9WO40.4mol%Ho3+/4mol%Yb3+Zn0.1Ca0.9WO42mol%Tm3+/0.6molHo3+/8molYb3+等稀土离子掺杂的样品,并对所得样品进行X-射线衍射分析,XRD谱图如图所示。

由图可以看出,与钨酸钙标准PDF卡片对比,特征峰全部出现,并且没有出现杂峰,可见稀土离子及锌离子的掺杂并没有影响基质材料的体心四方结构。这是由于掺杂的稀土离子及锌离子用量较少,极化能力比钙离子大,且钙离子的半径比较大,这就导致晶胞大小没有发生大的改变,因而晶格结构没有发生变化。 


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Ho3+浓度对稀土掺杂钨酸钙:Ho3+/Yb3+多晶吸收光谱的影响1

以下为稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究中Ho3+浓度对Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶吸收光谱的影响

固定Yb3+离子浓度为4mol%,掺杂不同Ho3+浓度的Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶紫外-可见吸收光谱如图所示。

由图可知,Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶的紫外-可见吸收光谱扫描范围为200~800nm。从图中可以看出,Zn0.1Ca0.9WO4Ho3+/Yb3+多晶在452nm545nm649nm处有明显的吸收峰,这是Ho3+离子不同能级之间的电子跃迁产生的,分别对应Ho3+离子的5I85G65I85S25I85F5能级跃迁。 


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稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究-不同烧结条件上转换发光测试

稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上转换性能研究-不同烧结条件上转换发光测试 

稀土离子的上转换发光性能与工艺条件密切相关。首先在控制烧结温度为1000℃时,改变主反应时间分别为2h3h5h。其上转换光谱如图3-4所示。

由图3-4可以看出,当烧结时间为3h时,发光强度最强。这是由于当烧结时间为2h时,原料没有完全反应,虽然合成了Zn0.1Ca0.9WO4多晶,但其晶格发育不完整,没有形成发光中心,不利于稀土离子的能级跃迁;当烧结时间为3h时,Zn0.1Ca0.9WO4多晶晶格完全形成,发光中心随之形成,上转换发光增强;当烧结时间为5h时,晶粒自发长大反而破坏发光中心,上转换发光强度减弱。因此最佳烧结时间为3h。随后我们对烧结温度进行研究。控制烧结时间为3h,改变烧结温度为900℃、1000℃和1100℃,对所得样品进行上转换发光测试,如图3所示。 



烧结时间为3h时,上转换发光强度随着温度的升高先增大后减小。当温度为1000℃时,发光最强。这是由于当温度为900℃时,虽然形成了Zn0.1Ca0.9WO4晶格,保持了很好的体心四方结构,但发光中心没有完全形成,不利于稀土离子的能级跃迁,故上转换发光强度较弱;当温度为1000℃时,发光中心完全形成,声子能量低,有利于稀土离子能级跃迁而发光;当温度为1100℃时,由于温度过高反而破坏了发光中心,上转换发光强度减弱。因此最佳烧结温度为1000℃。

根据以上分析结果,确定高温固相法合成Zn0.1Ca0.9WO4多晶的最佳工艺条件为:烧结时间3h,烧结温度1000℃。


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