不久前，莱斯大学的James M. Tour课题组通过在室温下进行阳极处理得到柔性纳米多孔（NP）WO₃−xRRAM。该课题组发现，这种柔性的NP WO₃−x RRAM表现出双极开关特征和高Ion/Ioff比（大约为105）；同时，这一设备具稳定的保持时间（超过5×105s）和极佳的元件间的均一性，并且在平面或最大弯曲条件下，其耐弯曲程度都超过103次循环。研究指明，柔性阻变存储器（RRAM）在未来的非易失性存储器上有着很大的应用前景，此次ACS Nano 柔性纳米多孔WO₃−x非易失性储存设备的发现，成为三氧化钨（WO₃）在非易失性储存设备中的最新研究，拓展了WO₃的应用领域。

另外，2015年中科大谢毅教授等在关于高性能柔性非易失性阻变存储器的研究中取得新进展，合成出具有优异存储特性的基于WO₃•H₂O超薄纳米片并组装成Cu/WO₃•H₂O/ITO-PET柔性非易失性阻变存储器。该课题组还提出新型阻变存储机理，有助于非易失性阻变存储机理的进一步研究和发展。

 

拓展阅读：非易失性储存设备即非易失性储存器，也即非易失性内存（Nonvolatile RAM，NVRAM），是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑内存。非易失性内存中，依内存内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。非易失性存储器（nonvolatile memory）是所有形式的固态（没有可动部分）存储器的一个一般的术语，它不用定期地刷新存储器内容，包括所有形式的只读存储器（ROM），也包括电池供电的随机存取储存器（RAM）。