钨铜复合材料在微电子封装领域的应用

随着集成电路（Integrated Circuit）芯片技术的飞速发展，对于微电子封装领域也不断提出了新的要求，日渐向着小型、轻薄、低成本以及无铅的方向发展。再者，微电子集成电路的集成规模逐步扩大，集成电路的单位面积功率和发热量也随之上升，这也是微电子封装材料面临的最主要挑战。目前微电子封装复合材料主要有三大类：聚合物基复合材料（Polymer-matrix Composites，PMC）、金属基复合材料（Metal-matrix Composites，MMC）、碳-碳复合材料（Carbon-carbon Composites，CCC）。而其中的金属基电子封装材料是目前研究和发展的重点方向。而向金属基体内部添加低热膨胀系数的高性能陶瓷或其他添加剂又可进一步提高金属基电子封装复合材料的综合性能。

钨铜电子封装材料就是一种金属基复合材料，他可以通过调整W和Cu之间的成分比例获得合理的膨胀系数，进而与微电子器件中的硅片、砷化镓等半导体材料及陶瓷材料进行很好的匹配联结，从而避免了热应力所引起的热疲劳破坏。与此同时，还能获得较好的导电导热性能以及优异的微波屏蔽功能。另外，钨铜作为一种高效散热的热沉发汗材料，当工作温度超过铜的熔点时，由于钨的熔点远高于铜，铜液化甚至蒸发带走了大多数热量，使得相关设备能够正常工作。因此，近年来钨铜复合材料在大规模集成电路和大功率微波器件中得到了广泛的运用，如在微处理器、微波组件、无线电通讯装置和RF动力装置等高新技术产品中，其极大地提高了微电子器件的使用功率，促使其进一步小型化。

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