三氧化钨是一种η型宽禁带半导体氧化物(禁带宽度约2.4~2.8eV)，在低温、室温时W03以单斜相和三斜相形式存在；而在高温时会出现正交相和四方相。其理想晶体结构可看作由6个O原子围绕中心W原子而组成钨-氧八面体[WO6]，它们经过共顶点连接而成，八面体之间存在着许多空隙，而形成各种通道，这些通道作为离子的流通渠道和嵌入位置，是H+、Li+等离子的良好注入体。因此三氧化钨凭借其响应速度快、着色效率高、着色/消色对比度高等优异性能，作为最经典的无机变色材料，广泛用于电致变色器件、光致变色器件和智能显示等领域。

 

文章介绍一种纳米WO₃电致变色薄膜的制备方法，其制备如下：

1. 在反应容器中加入配制好的溶液，将钨源靶材置于溶液中，并保证溶液浸过靶材表面，采用磁力搅拌器均匀搅拌溶液，其中钨源靶材为纯度大于99.9%高纯金属钨靶或三氧化钨陶瓷靶材；

2. 调节激光器的脉冲激光光束的光路，使激光光束聚焦在溶剂液面以下的靶材，选取适当的激光波长、频率及能量，开启脉冲激光，在液体环境中对钨源靶材进行烧蚀1~2小时； 

3. 脉冲激光烧蚀反应结束后，关闭脉冲激光，获得含三氧化钨纳米颗粒的胶体溶液，并在室温陈化1~4小时，使激光烧蚀产物与溶液进一步反应；

4. 调整陈化后溶液的pH值，并放入透明导电玻璃作为电极，对陈化后的激光产物在酸性条件下进行电泳沉积5~60分钟，从而制备出纳米三氧化钨薄膜。