钨加热子真空镀膜在MOSIC中的应用

MOSIC是金属—氧化物半导体集成电路的英文简写。是以金属—氧化物—半导体场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。该电路的制造结构简单，隔离方便。电路尺寸较小且功耗低。MOS（金属—氧化物—半导体）管是一种双向器件，设计灵活性很高。一般来说MOS集成电路功耗低，集成度很高，可以用作数字集成电路。但是这种集成电路的缺点是速度较低，驱动能力比较弱。

按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级 。

钨加热子在高温下和镀膜装置里的残余气体会发生反应，作为氧化物会被蒸发掉。并且加热子会和被蒸发物质铝发生反应形成Na+，这样以来加热子应用在MOSIC上的问题就比较严重了。因此，为了减少Na+的污染，执法之前要加长脱气的时间并且升高温度，加热到钨丝发红而又不会导致铝发生熔化现象。脱气时蒸发电压为4~6V，电流50~55A，时间为1分钟最好。在此条件下进行蒸发镀膜可以一定程度上克服因蒸发沾污而造成漏电使结特性变坏。

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