不同温度焙烧的AMT/SiO2催化剂的XRD谱见图3可见，当焙烧温度<=623K时，样品的XRD谱上只有一个宽大的弥散峰，为无定形结构载体SiO2的衍射峰，表明催化剂表面上的钨物种颗粒很小或以无定形的形式分散在载体表面。当焙烧温度为773K时，样品的谱图中出现了对应于WO3晶相的衍射峰，表明较高的焙烧温度处理可以使催化剂上的AMT分解为WO3。

 

不同温度焙烧的AMT/SiO2催化剂的CO2-TPD谱如图4（a）所示。由图可见，所有样品的谱图上均在410K附近出现一个CO2的脱附峰，该峰随着焙烧温度的升高略向低温方向移动，并且峰强度有所降低"这表明所有样品上均有一定量的弱碱中心存在，且随着焙烧温度的升高，催化剂表面上弱碱中心的强度和数目都逐渐降低"此外，焙烧温度为623和773K的样品在542K左右有一个小的脱附峰，表明该样品中还存在少量的中等强度的碱中心。

 

图4（a）为样品的NH3-TPD谱。由图可见，所有样品均在416K左右有NH3的脱附峰出现。随着焙烧温度的升高，峰强度略有降低，但脱附峰温度基本保持不变"这表明不同温度焙烧所制备的催化剂表面上均存在弱酸中心，且随着焙烧温度的升高弱酸中心的量有所降低。