退火温度影响三氧化钨薄膜氢敏性能
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年2月18日 星期四 15:08
- 作者:qiongyao
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退火温度(Annealing Temperature)为引物和模板结合时候的温度参数,当50%的引物和互补序列表现为双链DNA分子时的温度,它是影响PCR特异性的较重要因素。在理想状态下,退火温度足够低,以保证引物同目的序列有效退火,同时还要足够高,以减少非特异性结合。合理的退火温度从55℃到70℃。退火温度一般设定比引物的 Tm低5℃。在模板变性后温度快速冷却至40℃~60℃(某个退火温度)的时候,可使引物和模板发生结合。由于模板DNA比引物复杂得多,引物和模板之间的碰撞结合机会远远高于模板互补链之间的碰撞,这就使PCR后期的过程成为可能。
表1-1 退火温度对三氧化钨薄膜氢敏性能的影响:
退火温度(℃) |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
对0.2%H2的敏感性 |
40.3% |
35.0% |
12.7% |
5.3% |
1.2% |
从以上表格数据可以看出,退火温度越高,薄膜氢敏感性越差。当温度达到高温(>400℃),薄膜由无色透明变成蓝色,对氢气几乎没有响应。这可能是因为退火温度越高,三氧化钨薄膜结构越致密,对氢气的吸附越困难;当退火温度>400℃后,薄膜物质由非晶态变成结晶态,结构的变化导致薄膜的颜色变深,因此氢敏性能较差。
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