氧化铋影响三氧化钨陶瓷性能

掺杂Bi₂O₃影响WO₃陶瓷的烧结性能。掺杂Bi₂O₃的WO₃陶瓷，当掺杂浓度在0.2mol%并且烧结温度为1100℃左右时，WO₃陶瓷相对密度可达到91%左右。当Bi₂O₃的掺杂浓度大于0.2mol%，WO₃陶瓷的致密度会快速下降；陶瓷烧结温度小于1100℃，陶瓷的致密度随着烧结温度增加而逐渐增加，但当烧结温度高于1100℃，陶瓷致密度也会出现迅速下降的情况；最佳的烧结时间为2h，延长烧结时间反而会使陶瓷致密度降低。经分析，产生这种现象的主要原因为：WO₃熔点为1273℃，Bi₂O₃熔点为860℃，烧结温度过高时升华形成了两种物质分压，阻碍WO₃陶瓷的致密行为，降低致密度。

掺杂Bi₂O₃ 影响WO₃陶瓷的电学性能。与没有掺杂的WO₃陶瓷相比，掺杂Bi₂O₃后的WO₃陶瓷压敏电压快速下降，可以认为由于掺杂使得陶瓷晶粒快速生长从而引起压敏电压下降。掺杂Bi₂O₃的WO₃陶瓷烧结温度为900℃时，WO₃陶瓷不具有压敏特性，而温度达到900℃到1100℃之间，压敏系随着温度增加而变大，在烧结温度为1100℃时的压敏系数达到最大，烧结温度大于1100℃之后，压敏系数随着温度上升而减少，直到消失。当掺杂的Bi₂O₃浓度为0.5mol%、烧结时间为2h，烧结出的WO₃陶瓷压敏系数最大。

掺杂Bi₂O₃对WO₃陶瓷的微观结构具有显著影响；掺杂能起到助烧结的作用，促进陶瓷的烧结；掺杂能改善陶瓷的压敏特性。

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