增加三氧化钨表面负载能提升光电转换性能 2/3

以贵重金属作为三氧化钨（WO₃）的表面负载能提高光电性能。比较常见负载贵金属的方式为溅射法、光沉积法、液相吸附法、氢磞化物还原以及脉冲电沉积法等。负载贵金属并不是只能负载一种，曾经有学者研究报道了采用多种贵金属一同沉积于WO₃表面或者采用分层方式依次沉积。经过众多学者的研究发现当负载贵金属为Ag时，WO₃的光电性能提升最为明显，当光线照射在WO₃表面时，电子得到能量会先从价带跃迁到 导带上，然后再迁移到Ag纳米颗粒上，使光生电子富集，降低电子-空穴复合的概率。

掺杂离子可提高WO₃的光电性能。离子掺杂主要是通过阳离子与阴离子进入到WO₃晶格内部，替代WO₃半导体中的W+钨离子或者O₂-氧离子来影响电子的激发以及电子-空穴分离。研究发现掺杂Cr、Mo这些等价金属替代晶格中的W原子，不但对晶格的几何结构影响小，而且使导带的底部下移，减小带隙；当掺杂Ti、Zr、Hf，这些价态小于W金属的金属材料时，会在O氧原子的2P轨道上形成两个空位，形成氧空穴，并且使价带的顶端上移，由于这三种金属的原子半径都大于W原子，会造成导带的底部上移，但是从整体上来说禁带宽度因为掺杂而减少。

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