本文提供一种既能有效地除钼、又能提高的产品结晶率的生产仲钨酸铵的方法——胍盐分离法。

步骤：
1.原料及催化剂选择，环境选择；
起始原料：除硅后的工业钨酸铵溶液；催化剂：二氧化硅（SiO₂）或硅酸；在pH＝7.0-8.0；
2.加热陈化，滤去催化剂；
3.加入胍或胍的衍生物作沉淀剂，使钨（W）形成胍盐沉淀物（沉淀率达98%以上），而钼（Mo）留在滤液中被除去（除钼率达95%以上）；

4.过滤出沉淀物，用冷水洗涤数次；
5.将得到的胍盐沉淀物加入氨水中，钨成钨酸铵溶液，而沉淀剂胍或胍衍生物则以固体形式存在。沉淀剂过滤，洗涤，可重复使用；
6.滤液钨酸铵加热至80°-100℃，便得仲钨酸铵晶体，结晶率可达95%；滤去仲钨酸铵后的饱和滤液可以返回至新鲜的钨酸铵溶液中再次浓缩结晶，由此可以回收全部的钨。
备注：在上述过程中控制沉淀的pH是重要的，pH值过低，会使部分钼沉淀，降低除钼效果；pH值过高，会使钨沉淀不完全，降低钨的回收率。

优点：有效地除去杂质钼，废除了传统的用硫化物除钼工序，消除了硫化氢污染；此外，与传统的生产工艺相比，仲钨酸铵一次结晶率可提高近20%，降低了成本；操作简便、处理量大、投资少。

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提升三氧化钨光电转换性能的途径有多种，其中采用表面敏化的方式可以提高光电转换效率采用表面敏化的方式提升三氧化钨（WO₃）的光电转换性能。将一定的材料负载于三氧化钨（WO₃）半导体表面，从而提高对光吸收与转换能力。表面敏化的原理与半导体复合比较相似，但是对光进行吸收转换的主材料由氧化钨变为光敏剂，而且所选的光敏剂必须要满足两点要求：（1）本身的禁带宽度必须小于WO₃的；（2）能级导带的位置一般要负于WO₃的导带。目前发现满足条件并被采用的半导体主要有Fe₂O₃、Cu₂O、CdS等。

采用半导体复合的形式来提高WO₃的光电转换性能。半导体复合是将两种或两种以上的半导体采用物理或化学将两者结合起来，是一种比较常见、有效的提升材料某一特定性能的方式，同时也能采用复合材料的方式来提升光电转换性能。为了提升机光电转换性能一般会采用的复合材料为金属氧化物，总之通过半导体的复合，能使光生电子或者空穴分别聚集于两种半导体导带或者价带上，从而使电子与空穴有效地分离，进而提高复合半导体光电转换效率。为了提升半导体的光电转换效率。除了采用金属氧化物，还能采用石墨烯，经研究采用石墨烯作为电子传递介质，可以提高半导体材料中电子的迁移速度的同时降低光生再留在复合的概率。从而提升WO₃半导体材料的光电转化效率。

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通过分析熔渗后钨铜合金电极显微组织的扫描电镜（SEM）照片，我们不难观察到在相同的烧结温度和保温时间条件下，含铜量较高的样品具有较小的平均晶粒度。这是由于铜含量的增加有益于钨颗粒的重排，同时也促进了铜液的偏聚作用，从而使得样品的组织成分分布不均。而铜液的偏聚又会在一定程度上相应地造成钨颗粒相互接触，这也就达成了固相烧结的条件，会进一步引起钨颗粒的团聚。该现象在钨铜电极W-50Cu样品中表现得尤为明显，以下是微波熔渗法所制备的钨铜合金电极扫面电镜（SEM）照片，可见其钨（W）晶粒的团聚现象是较为清晰直观的：

与常规熔渗法下钨铜合金W-Cu电极的样品组织均匀性相比，微波熔渗法的升温速度足够快，更加有利于促进铜液的流动以及组织的均匀分布，因而具有更好的组织均匀性和结构稳定性。此外，在含铜量较低的微波熔渗法钨铜合金电极样品中还可较为清晰地观察出有弥散分布的棒状细长的钨W晶粒生成；而常规含铜量较低的常规熔渗下的钨铜合金电极烧结样品钨W晶粒分布不均，且呈近球形或卵形，既有较大尺寸的钨晶粒，也存在不少细小的钨晶粒。据此，我们还可以做出进一步推断，常规熔渗对于显微组织产生的不利影响与其较为缓慢的升温速度存在一定的关联（常规熔渗升温速率通常为5℃/min，而微波熔渗法的升温速率通常为30℃/min）。

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以贵重金属作为三氧化钨（WO₃）的表面负载能提高光电性能。比较常见负载贵金属的方式为溅射法、光沉积法、液相吸附法、氢磞化物还原以及脉冲电沉积法等。负载贵金属并不是只能负载一种，曾经有学者研究报道了采用多种贵金属一同沉积于WO₃表面或者采用分层方式依次沉积。经过众多学者的研究发现当负载贵金属为Ag时，WO₃的光电性能提升最为明显，当光线照射在WO₃表面时，电子得到能量会先从价带跃迁到 导带上，然后再迁移到Ag纳米颗粒上，使光生电子富集，降低电子-空穴复合的概率。

掺杂离子可提高WO₃的光电性能。离子掺杂主要是通过阳离子与阴离子进入到WO₃晶格内部，替代WO₃半导体中的W+钨离子或者O₂-氧离子来影响电子的激发以及电子-空穴分离。研究发现掺杂Cr、Mo这些等价金属替代晶格中的W原子，不但对晶格的几何结构影响小，而且使导带的底部下移，减小带隙；当掺杂Ti、Zr、Hf，这些价态小于W金属的金属材料时，会在O氧原子的2P轨道上形成两个空位，形成氧空穴，并且使价带的顶端上移，由于这三种金属的原子半径都大于W原子，会造成导带的底部上移，但是从整体上来说禁带宽度因为掺杂而减少。

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