三氧化钨是常温下钨的最稳定氧化物，环境毒害小，价格低廉，理论比容量高(693mAh∙g-1)，是一种有发展潜力的锂电池负极材料。然而，块体三氧化钨的电导率低，充放电过程中体积变化大，导致其倍率性能和循环稳定性差。为此，研究者们设计出了掺钴纳米氧化钨材料，具有较高的放电比容量和优异的循环性能。那么，掺钴纳米氧化钨锂电池负极材料的制备方法如何呢？

作为低维度过渡金属氧化物的典型代表，氧化钨粉末不仅可以用来制备钨制品，还可以用来生产半导体电池。下面，主要介绍的是氧化钨半导体电池的制备方法：

为了缓解普通三氧化钨的不足，研究者向其中掺杂了稀有金属钴元素，制成了掺钴纳米氧化钨材料。其因粒度小、均匀、比表面积大、循环稳定性能好的优点，而成为了下一代理想型锂离子电池负极材料的制备原料，具有较高的电化学性能。

氧化钨是一种N型半导体金属氧化物材料，由于具有非常优异的光学性质、电学性质以及稳定的半导体性能，目前已广泛用于光催化降解水制氢气、光催化剂、蓄能材料、吸波材料以及气敏组件等很多领域。那氧化钨半导体电池的制备方法怎么样的呢？