单层二硫化钨的能带隙达到2.0eV，而单层二硒化钨的能带隙达到1.7eV。较大的能带隙和较高的载流子迁移率，使它们在光电领域具有广阔的应用前景。为了实现带隙可调的二维层状半导体材料的制备，研究者利用化学气相沉积方法，即通过改变硫/硒元素的比例制备出带隙可调的大尺寸硒掺杂二硫化钨，同时这也表明了该技术打破了现有技术的瓶颈。

为了降低暖手袋的充电次数，即延长其内置锂电池的单次充电续航时间，制造商们应选用含有低维度氧化钨粉末的化学电池来作为暖手袋的备用电源。与普通的化学电池相比，含有氧化钨材料的锂电池除了具有价格较为合理外，在相同体积和重量下，容量也相对较高，更适合用来作为新一代小型设备的电源。

为了提高过渡金属二硫化钨在光开关的应用性能，科学家们便向二硫化钨中掺杂了适量的硒元素，通过调节硫/硒元素的比例制备出能带隙可调的硒掺杂二硫化钨薄膜。与单层二硫化钨相比，硒掺杂二硫化钨薄膜拥有更为优异的光电性能、更好的结晶性、更佳的化学稳定性、更高的迁移率等特点，更适合用来参与光电器件的生产。

与现有的储能电极材料添加剂相比，过渡金属氧化钨粉末更适合用来参与下一代高性能锂电池正极材料的制备，这主要是由于该氧化钨粉末除了具有较大的比表面积和较强的物理化学吸附能力外，还有较高的结晶度、较小的热膨胀系数等特点。就小型贴身的暖手宝来说，其应安装上述的那款新电池来作为内部电源，这样能在延长续航时间的同时，也可以降低安全隐患。