Ti掺杂氧化钨薄膜，较之纯WO3薄膜，其变色幅度没有变化，同时着色、褪色响应速度明显增快，反应储存的电荷量增多。而且，循环多次后，电流衰减变小，循环稳定性增加，薄膜循环寿命提高。此外，WO3由单斜晶系转变为立方晶系，同时，Ti4+离子抑制了晶粒生长，结晶程度降低。

为了解不同氧气分压对Ti掺杂氧化钨电致变色薄膜结构性能影响，有专家采用下述方法先制备得到掺Ti的WO3薄膜。

钛掺杂氧化钨薄膜比纯WO3薄膜更有利于发生电致变色反应。专家表示，对比WO3与钛掺杂氧化钨薄膜SEM图像，如下图，可以看到：

有专家在不同氧气分压条件下，采用脉冲直流反应磁控溅射法在FTO透明导电玻璃基底上制备了掺钛氧化钨薄膜。他们发现：