合成纳米氧化钨

反应溢度、反应时间以及外来添加物种等作为影响晶体生长外部因素，对无机纳米材料相组成及形貌控制往往能起到重要角色。就无机半导体材料纳米氧化钨来说，采用溶剂热法通过调变溶剂热温度成功制备出了W03.2H20纳米片，研究发现温度可调控其晶体的生长，因而有助于纳米片的形成；利用水热方法合成了氧化钨纳米带，温度对氧化钨纳米带单晶的生长也至关重要；用不同的溶剂热体系合成了不同晶型的纳米氧化钨，其中乙醇/乙二醇的混合溶液是较好的溶剂，六氧化化钨可以在其中充分的溶解，从而制得的氧化钨的晶型结构相对较对称；通过改变体系中水的用量来有效控制六氯化转的水解速率，进而得到氢氧化钨，然后再对其进行脱水得到不同纳米结构的氧化钨半导体材料；他们研究表明：适宜的加水量，可以得到纳米管状结构的氧化钨；若向反应体系加入过量的水，得到的则是氧化钨纳米棒；而如果加入少量的水，得到的却是氧化钨纳米片。在不同的加热时间下合成了不同晶型的氧化钨纳米材料，其中，以钨酸锂作为钨源，在水热条件下合成的纳米棒状氧化钨，表现了较好的光催化性能。

溶剂热温度较低时，制备的纳米氧化钨结晶度较低，随着溶剂热温度的升髙，纳米氧化钨的结晶度增加。溶剂热时间过长时（24h)制备的纳米氧化钨存在很严重的团聚，而且粒径的均一性较差；而在较短的时间时（12h)，制备的纳米氧化钨的粒径较均一。加水量的多少直接影响纳米氧化钨的结晶度和粒径的均一性，进而影响材料吸附性能；当加水量较少时（500mL)，三氧化钨的结晶度较差，且团聚较严重，而且晶体的结构的规则性也较差，因此吸附性能较差；随着加水量的增加（1000mL)，制备的材料，结晶度变好，晶体的结构也变规则，且粒径较均一，氧化钨的吸附性能增强；继续增大加水量（2000mL)时，结晶度继续变强，但是粒径变得不均一，团聚也变严重，因此对氧化钨的吸附性能下降。

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