钨铜电子封装片

钨铜电子封装和热沉材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变，因而给钨铜提供了更广的应用范围。由于钨铜材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性，同时又与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数，故在半导体材料中得到广泛的应用。适用于与大功率器件封装材料、热沉材料、散热元件、陶瓷以及砷化镓基座等。

电子封装及热沉用钨铜复合材料具有较高的导热性和低的热膨胀系数，在大功率器件中被视为一种很好的热沉材料。近年来，国内外已有很多专家和学者对钨铜作为热沉材料进行了大量研究。这些研究主要包括粉末改性，添加活性剂以提高钨铜的烧结密度等。随着电子器件的大功率化和大规模集成电路的发展，提出了相应材料升级换代的要求，由于钨铜复合材料既具有很高的耐热性和良好的导热导电性，同时又具有与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数，故作为嵌块、连接件和散热元件得到了迅速应用，现巳成为新的重要的电子封装和热沉材料 ]。目前，钨铜材料的相对致密度最高可达99 以上，采用纯度较高的粉末原料，W一15Cu材料的热导率可达200 w／(m ·K)。作为电子封装及热沉材料，对钨铜材料的质量和性能有着更高的要求，不仅要求纯度高且应组织均匀、漏气率低、导热性很好及热膨胀系数小，故须严格控制生产工艺和产品质量。

用于封装热沉的钨铜材料的主要性能

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