江丰电子：获得钨硅合金靶材制备方法专利

2024年3月5日，据国家知识产权局公告，江丰电子（300666）取得一项名为“一种钨硅合金靶材的制备方法”，申请公布号CN117646176A，申请日为2023年12月14日。

专利摘要显示，本发明提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，所述方法包括：将钨粉和硅粉混合后进行压合，之后热压烧结，得到钨硅合金靶材；其中，所述压合包括依次进行的第一压合和梯度超声压合；所述梯度超声压合中压力和超声功率同步递增。本发明提供的制备方法，通过借助特定的压合过程，显著提升了所得钨硅合金靶材的使用性能，所得钨硅靶材的密实度，具有大于或等于99%以上的相对密度，避免了钨硅合金靶材在使用过程不存在由于合金化不足而导致的掉粉问题。

钨硅合金是一种以钨（W）为基体、添加硅（Si）等元素的合金材料，具有高密度、高强度、良好的塑性和导电性能等特点，这些特性使得钨硅合金在多个领域都有广泛的应用，特别是在制电子栅门材料、电子薄膜、电子器件和传感器等方面发挥着重要作用。

近年来，随着半导体工业的迅猛发展，溅射镀膜技术在微电子、光电子、薄膜太阳能电池等领域的应用日益广泛。钨硅合金溅射靶材作为溅射镀膜的核心材料，其性能对镀膜质量起着至关重要的作用。为满足现代半导体工艺对溅射靶材的高要求，钨硅溅射合金靶材需具备更大的尺寸、较高的致密度、以及细小且均匀的晶粒结构。此外，靶材的完整性也至关重要，要求无气孔、疏松等内部缺陷，以确保溅射过程的稳定性和镀膜质量的均匀性。

为了实现这些要求，钨硅合金靶材的制备工艺需经过精心的设计和优化。在材料制备过程中，需要严格控制原料的成分和纯度，确保合金成分的均匀性。同时，通过优化烧结、热处理和加工工艺，可以实现靶材的致密化和晶粒细化。

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