钨合金发展历史
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2013年6月24日 星期一 09:58
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1907年,一种低镍含量的钨合金问世,它是通过机械加工方法制备的,但是严重的脆性妨碍了它的应用。直到1909年,美国通用电器公司的库利奇(W.D.Coolidge)通过粉末冶金法制得钨坯条,再利用机械加工生产出在室温下具有延性的钨丝,从而奠定了钨丝加工业的基础,也奠定了粉末冶金的基础。
然而这种“延性”钨合金在灯泡点燃后表现出明显的脆性。1913年,平(Pintsch)发明了钍钨丝(ThO2的 含量为1%~2%),从而使白炽灯丝的脆性大大降低。起初,灯丝的下垂(见钨丝的抗下垂性能)并不是一个问题,因为此时的灯丝是直丝,但1913年以后, 兰米尔(Langmuir)将直丝改为螺旋丝,这样,当灯泡使用时,高的工作温度和自重的作用使灯丝下垂,因而纯钨和钍钨都难以满足使用要求
为了解决钨丝下垂和寿命短等问题,1917年,柏斯(A.Pacz)发明了高温下“不变形”的钨合金。起初,他在制备纯钨时采用耐火坩埚焙烧WO3,无意中发现用这种WO3还原所得钨粉制成的钨丝螺旋,经再结晶后异常神秘地不再下垂。随后,经过218次反复实验验证,他终于发现在钨酸(WO3·H2O)中添加钾和钠的硅酸盐,经过还原、压制、烧结、加工等制得的钨丝,再结晶后形成相当粗的晶粒结构,既不软又抗下垂,这是最早的不下垂钨丝。柏斯的发现奠定了不下垂钨丝的生产基础,直到现在美国仍称不下 垂钨丝为“218钨丝”,以纪念柏斯的这项重大发现。
掺杂钨合金的生产工序冗长,包括钨冶炼、粉末冶金制坯和塑性加工几个主要阶段。
掺杂钨合金的生产通常选用仲钨酸铵(APT)为原料。从钨精矿制 取仲钨酸铵除了传 统的经典工艺外,20世纪50年代国际上开展了萃取法和离子交换法的研究,中国在70年代也采用了这些工艺,从而简化了工艺流程,提高了钨的回收率。20 世纪60年代以来,许多国家都相继采用蓝色氧化钨掺杂工艺代替三氧化钨掺杂,从而提高了掺杂效果。钨粉的酸洗是20世纪60年代开始应用于生产的,其主要目的在于洗去钨粉中多余的掺杂剂、超细粉和部分有害杂质,从而改善加工性能,提高钨丝的高温性能。从20世纪60年代开始,孔型轧制法不断得到应用。孔型 轧制是使坯料在一对旋转着的轧辊的孔 型中通过,在轧辊压力的作用下使断面减缩和长度延伸。
虽然只有少部分钨矿最终被做成灯钨丝和类似的产品,钨在科学上和技术上所承担的最重要的意义就是其研究成果向实际应用的转换。所获得的知识在粉末冶金新的领域,尤其是在硬质合金的制造上具有不可估量的价值。
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在碳材料表面渗碳化钨的方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年6月24日 星期一 09:37
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本发明提供一种在碳材料表面渗碳化钨的方法。其特征在于:
1)将表面沉积有一层较薄钨涂层的碳材料进行高温热处理,热处理工艺为先在较低温度保温一段时间然后升到更高的温度再保温一段时间;
2)热处理结束后再次在材料表面沉积一层较薄的钨涂层,然后再将材料进行相同工艺的热处理;
3)重复以上过程3-5次即可在碳材料表面渗入碳化钨。
注:表面钨涂层的制备可优先选用化学气相沉积、物理气相沉积、双辉等离子等方法。
本发明提供的在碳材料表面渗碳化钨的方法,其采用这种高温热处理的方法在碳材料表面渗碳化钨,钨元素从碳材料表层由内向外梯度过渡,有效缓解了碳化钨与碳材料的热失配,涂层与基体的结合非常牢固。
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金属陶瓷切削刀具
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年6月24日 星期一 09:34
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本发明介绍一种金属陶瓷切削刀具。其特征在于:
1)基本成分为:约3.5~6.5W/O的镍;约4.5~7.5W/O的钴;在其中镍+钴的总量在约8.0~11.0W/O之间;
2)约20~25W/O的钨;约5~11.0W/O的钼;
3)最多达约6W/O的钽 加铌;最多达约0.05W/O的铬;
4)最多达约1W/O的铝;最多达约3W/O的钒;
5)必要的其余成分是钛、碳和氮。
注:其中至少全部碳和氮基本是选自于金属碳氮化物以及金属碳化物和金属碳氮化物的混合物的以金属化合物形式存在的,所说的金属是 选自于钨、钼、钛、钽、铌、钒、铬及它们的固溶体和它们的混合物。
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用于胶结碳化物的复合碳化物粉末生产方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年6月24日 星期一 09:29
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本发明提供一种复合碳化物粉末生产方法。其主要成分的基本上由碳化钨细初凝晶微粒组成的碳化钨粉末。其中所说的碳化钨粉末满足给出的不等式: Y〉0.61-0.33log(X), 其中Y代表在用X射线衍射方法测量的碳化钨(JCPDS-card 25-1047,d=0.9020)中(211)晶面的半值宽度,而X代表用FSSS方法测量的晶粒大小。步骤如下:
1)将原料粉末加热到1200-1700℃,使铬粉扩散到碳化钨粉末中,并压制成具有高的横向rapyure强度和高的硬度的胶结碳化物,度6.5-10.5g/旦、破断伸长率14-45%的合成纤维;
2)聚氯乙烯系糊状溶胶组合物是,含有100重量份数聚氯乙烯系糊状溶胶、30-85重量份数邻苯二甲酸酯系增塑剂、3-30重量份数磷酸酯系增塑剂、5-45重量份数无机阻燃剂的糊状溶胶组合物。
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二季度国内硬质合金生产有所好转
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- 分类:钨业新闻
- 发布于 2013年6月24日 星期一 08:12
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据调查,一季度国内硬质合金产量低于2012年第四季度,与2012年同期持平,二季度硬质合金生产有所好转。
预计2013上半年钨消费增长0.85%至19200吨,出口8410吨,精矿产量27000吨,进口2580吨,供应过剩1970吨,较2012年底,过剩量已有明显的下降。5月制造业景气回升态势较乐观,加之收储的影响,预计钨价6月总体可保持坚挺。
押宝LED照明发展 两岸芯片厂相继释出扩产
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- 分类:蓝宝石长晶炉-钨制品新闻
- 发布于 2013年6月22日 星期六 10:54
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随着去年LED TV背光需求大幅成长,去化大量LED芯片产能,虽然尚未完全解决市场供过于求窘况,但也大幅缩小供需间的差距,因此从今年以来,两岸芯片厂又纷纷释出扩产消息,包含三安、士兰微、澳洋顺昌等。
而台厂晶电、隆达也正在陆续扩增芯片产能,扩产幅度25~33%,主要押宝LED照明接下来的快速发展,各家芯片厂先行扩产卡位。
随着LED TV渗透率即将于今年达到90%,显示LED TV取代市场商机即将过去,市场预计从2014~2015年起,LED TV需求将会进入自然成长市场,背光需求的成长幅度大不如前,LED TV背光快速成长时代即将过去,因此LED业又开始锁定LED照明进行市场布局,而两岸芯片厂于今年也都传出进行扩产的消息。
大陆芯片厂部分,包含三安、士兰微、澳洋顺昌等业者都传出拟扩增芯片产能的消息,其中,三安已公告计划增资人民币33亿元,除用于补充营运资金外,约人民币28亿元将投入重新启动的芜湖二期项目,而若以三安目前拥有2吋MOCVD机台141台(有效产能约130台)来看,全数新增产能完成投产后,三安将增加1倍产能。
大陆芯片厂于两年前凭着政府补助而大举扩增芯片产能,造成整体市场产能严重供过于求的窘况,该项情况至今仍未获得解决,而今年芯片厂的大幅扩产举动是否显得太过冒险?业者认为,企业经营看的是5年后的市场发展,而三安这次大举扩产就是看好LED照明快速发展所带来的市场需求,先行进行扩产卡位,以免真正商机到来时却无产能支应。
台湾芯片厂的扩产动作也不落人后,晶电今年也确定将扩增至少25%产能,今年以来已经新增10%以上的产能,扩产举动仍在持续进行,但晶电表示,公司产能本来就已经达到满载,扩产也是顺应市场需求而为。
隆达也从今年开始于苏州厂陆续扩增芯片产能,若以目前70~80台MOCVD机台产能来看,预计也将新增约三分之一产能,不过由于该公司为一条龙生产,全数芯片产能都供给至内部产品链。
虽然目前LED市场需求展望皆呈现乐观发展,但芯片市场仍有产能供过于求压力,多数芯片厂于第1季都还处于亏损状态,营运可算是走在钢索上,LED照明市场发展是否能如市场预期般快速成长仍待观察,在LED产业仍处动荡情况下,芯片厂当下扩产动作成为对未来市场发展的一场赌注。
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三星55寸OLED TV将于下周在南韩开卖
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- 分类:蓝宝石长晶炉-钨制品新闻
- 发布于 2013年6月22日 星期六 10:41
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继LG电子的全球第一款55寸OLED开始在1月接受预购订单之后,三星55寸OLED TV预定下周在南韩开卖,定价可能会超过1,000万韩元,与LG的产品相似。消息并显示,三星也打算在下周于南韩推出拥有弧形屏幕的OLED TV。
LG电子全球第一款弧形55寸OLED HDTV「55EA9800」在4月29日开放预购,并于6月开始在南韩出货,售价为1,500万韩元。这款机种定价较LG另一款同尺寸、但并未呈现弧形的OLED TV多出约3,600美元。
不过,OLED TV目前的销售状况仍然差强人意。据报导,LG家庭娱乐产品通讯部门主管Hugo Shin表示,旗下OLED TV自2月于南韩开卖迄今仅卖出了200台左右。他认为,这些电视至少还要再等2-3年价格才能降到与当今高阶LED TV相同的水位。
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香港科技大学研发出硅衬底绿黄氮半导体LED
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- 发布于 2013年6月22日 星期六 10:32
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香港科技大学(HKUST)近日研发出一种高性能的硅衬底绿黄氮半导体LED,研究人员称其565nm黄色LED是第一款硅衬底多量子阱(MQW)设备。
据称,这是首次在硅衬底上成功制造出565nm黄色InGaN/GaNMQWLED,且505nmLED的LOP远远高于以往的硅LED设备。除了提高材料质量外,该机构研究人员相信纳米棒也可以增强光提取散射效应。
在2英寸硅片上,研究人员使用金属有机气相沉积(MOCVD)技术来生成最初的模板,该模板由氮化铝(AlN)成核、8对氮化铝/氮化镓(AlN/GaN)层组成,以创造出一个超晶格(SL)(用作应力平衡夹层)和一个2μmGaN缓冲层。
研究人员首先对SiO2层和铟锡氧化物(ITO)层进行沉淀,再利用氯化氢(HCL)酸溶液对ITO进行蚀刻,最后使用等离子蚀刻法来形成二氧化硅(SiO2)纳米棒。纳米棒的密度为2x109/cm2,表面覆盖度为35%;其作为GaN再生长的遮罩,可降低位错密度并提高晶体质量。
随后,通过MOCVD技术生成LED结构,在纳米棒、AlN/GaNSL夹层、2μmN型GaN、5周期多量子阱(MQW)以及200nm的p-GaN周围再生成800nmGaN。再生成的GaN位错密度为8x108/cm2,被称为“最低的硅衬底GaN位错密度之一”。
研究人员随后准备适用于发射黄色(565nm)和绿色(505和530nm)光的材料,以制作300μmx300μmLED芯片。如预期一样,随着波长增加,光输出功率(LOP)逐渐下降。在20mA条件下,505nm波长的输出功率为1.18mW,530nm和565nm波长的输出功率分别为0.30mW和74μW。对于505nm、530nm和565nm设备,光输出功率分别在7.60mW(200mA)、2.72mW(180mA)和0.52mW(160mA)条件下达到饱和状态。
从理论上讲,使用硅作为衬底可降低材料成本和实现大晶圆直径产品批量生产的规模经济效益,但是与传统、更昂贵的独立GaN、蓝宝石或碳化硅(SiC)衬底相比,硅衬底氮半导体会导致更大的晶格失配。
研究人员表示,生产更大波长的氮半导体LED极具挑战性,因为难以生产出质量佳、铟浓度更高的氮化铟镓(InGaN)产品。虽然半导体晶体管领域中的硅衬底工艺已十分成熟,但类似的生长方式最近才被应用于LED设备材料。
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谷歌眼镜被质疑侵犯隐私 添加LED灯或可摆脱误解?
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- 发布于 2013年6月21日 星期五 22:36
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谷歌眼镜自问世以来,遭到了来自多方面的质疑。近日,加拿大、荷兰、澳大利亚、新西兰、墨西哥、以色列和瑞士七国政府的隐私保护专员联名致函谷歌CEO拉里·佩奇,要求谷歌提供关于谷歌眼镜的更多详细信息,以消除各国对谷歌眼镜可能侵犯他人隐私的担忧。
此外,有人专门成立了一个名为“StoptheCyborgs”的网络组织,来监视谷歌如何处理谷歌眼镜所带来的隐私隐患问题。目前,已经有许多地方,例如酒吧、脱衣舞俱乐部、电影院、赌场等明令禁止佩戴谷歌眼镜者入内,就连谷歌举行的年度股东大会上,谷歌眼镜也被严格监控。
科技媒体TechCrunch认为,谷歌眼镜的摄像头位于设备的正前方,难免让人感到有些不安,但摄像头旁边没有LED灯来显示摄像头是不是正在拍照和录像,这是谷歌的一大失策。因此,只要谷歌还没有添加LED灯来显示它是否正在录制视频,“侵犯隐私”这样的误解就会持续不散。
此外,前美国国土安全部部长迈克尔·切尔托夫把谷歌眼镜比喻成无人驾驶侦察机:“试想一下,数以百万计的美国人,每天头上都带着一架无人驾驶飞机到处走动,而这种设备能够以视频和音频的形式,捕捉记录下发生在他们周围的一切,这会是种什么状况?”
TechCrunch分析称,类似迈克尔·切尔的言论,煽动了人们对谷歌眼镜隐私问题的担忧,而这一切都源自于人们对谷歌眼镜的能力的误解。
从谷歌眼镜的功能来看,这款设备其实不能记录你周围的一切。当视频功能被激活时,在默认情况下只能录制10秒钟长的视频,如果你想用视频记录周围的一切,电池的电量很快就会耗得精光。
因此,从本质上说,谷歌眼镜仅仅是一种可穿戴的Web浏览器,更多的意义在于查看新闻、电子邮件、社交网络消息以及其他推送的信息,而不是分享自己的照片和视频。
谷歌曾在一份声明中称:“针对谷歌眼镜面部识别的可能性,许多人既感兴趣,同时也表达了担忧之情。正如我们在过去几年一直坚持的立场,在未建立起强大的隐私保护机制之前,我们不会在我们的产品中增加面部识别功能。鉴于此,我们暂时不会批准与谷歌眼镜有关的任何面部识别应用。”
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政府未放弃LED产业 广东福建纷出台LED支持政策
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- 发布于 2013年6月21日 星期五 22:30
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在光伏产业出现“寒冬”之后,随着深圳一个与LED发展有关的规划的废弃,LED产业一度被认为是“下一个光伏产业”。不过,近日LED产业大省广东、福建纷纷出台支持政策,这也表明地方政府并未放弃LED产业。
近日广东省政府办公厅印发的《关于进一步加大工作力度确保完成推广使用LED照明产品工作任务的通知》提出,坚持LED照明推广使用目标任务不动摇,确保到2014年底前完成全省普及公共照明领域LED照明的任务。其中,珠江三角洲地区必须在2013年底前率先完成工作任务。
作为LED产业大省,去年5月,广东省出台推广使用LED照明产品实施方案,全面推广LED应用。截至今年3月,全省已招标和新安装LED路灯总数近60万盏、室内LED照明产品超过130万盏,总体节能55%,累计节约用电近3亿千瓦时。
今年3月,深圳市以《政府公报》形式废止2009年3月出台的《深圳市LED产业发展规划(2009~2015)》(下称《规划》)。
统计显示,去年深圳市规模以上的LED企业(以全产业链统计)1700多家,占全国LED企业数量30%左右。因此深圳市的这一举措被部分媒体和市场人士解读为号称朝阳行业的LED因产能过剩已遭政府“抛弃”。
但深圳市发改委近日指出,深圳市从未放弃扶持LED产业。深圳市政府办公厅今年宣布废止《规划》,是因已有相对应更新的规划文件和上级政策文件,覆盖领域更宽,与国家产业政策和深圳产业发展形势结合更加紧密。
“深圳对LED的扶持力度一直都是很大的,对一些示范工程项目,政府给予50%的资助。” 深圳市LED照明行业人士告诉记者,LED产业作为一个新兴产业,确实需要政府的适度支持,而广东以及福建等地作为主要生产地区,一方面是为了新兴产业的发展,二是为了节能减排。“这对整个LED的产业是一大利好。”
无独有偶,今年5月,福建省也出台《福建省推广应用LED照明产品的若干措施》,明确到2015年底前力争基本实现公共照明领域普遍使用LED照明产品,实现同比口径下照明节能(电)50%以上,带动该省LED产业当年新增产值500亿元以上。
由于前几年的行业利润比较高,LED产业也吸引了不少外部资金进入,同时引发不少乱象。
“前三年行业利润可达20%~30%,但现在只有5~10个百分点。”广东中山一家LED产品出口企业负责人告诉记者,前几年,行业门槛进入太低,一个只要在企业做过一年研发经验的人员,就可以开一个公司,“并且客户在买产品的时候,也不知道什么产品是好的,因为缺乏相应的标准。因此来自其他行业包括做袜子、生产单车的都进入这个行业。”
泥沙俱下的负面效果也迅速体现,行业很快迎来洗牌。同时,一些龙头企业却迎来了逆势增长。
不少企业和市场分析人士纷纷表示,随着行业技术的不断提高和价格的迅速下降,下半年LED照明产品将迎来集中爆发期。
上述行业人士告诉记者,前两年LED产业由于价格比较高,产品主要用于出口,国内市场也未起来,所以发展经历了一个比较悲观的阶段,但今年的整体发展势头比较好,不少龙头企业纷纷扩大产能。“因为它逐渐由原来政府工程转为民用,市场扩大了很多。”
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