碳化钨催化电极制造方法

本发明提供一种碳化钨催化电极制造方法。其由磁控溅射镀膜系统通过磁控溅射镀膜法制得，步骤如下：

基体经清洗净化处理后置于磁控溅射镀膜系统的真空反应室中，以碳化钨为靶材，以氩气作为保护气氛，各操作参数设置如下：基础真空：4.8×10^-4~10Pa；工作压力：0.5~20Pa；溅射功率：5~120W；氩气流量：5~100sccm；沉积温度：0~800℃；溅射时间：1~600min。

本发明所述的碳化钨催化电极的有益效果主要表现在：

1）磁控溅射镀膜系统为现有设备，只需调整好参数就能自动进行镀膜，催化电极的制备十分方便；

2）镀膜层与基体的结合力强、催化性能稳定、使用时间长；

3）催化性能好。

 

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