由于二硫化钨纳米材料在能量转换和存储领域具有广阔的应用前景，人们致力于研究和改善其WS₂的电子特性和HER机理，如载流子浓度（p）、迁移率（μ）和电阻率（ρ）。根据理论预测，在半导体TMDCs中，由于有效质量降低，WS₂具有最高的电子迁移率。

由于全球人口的快速增长和社会经济的快速发展，能源和环境问题受到广泛关注。作为一种过渡金属二硫化物，二硫化钨纳米材料在能源转换和储存领域取得了重要的研究进展。鉴于这些材料的多功能性和丰富的微观结构，二硫化钨（WS2）纳米材料的可塑性和可控合成广受研究人员的关注。

相较于半导电体材料，二硫化钨纳米材料表现出更高的光吸收率，光催化特性是其另一个重要特性。对于半导体材料，光吸收特性是非常重要的，特别是对于光催化。当WS₂吸收光子时，会发生带内、带外和杂质缺陷之间的转换，这可以形成特定的吸收光谱。块状WS₂的特征吸收峰在910纳米的波长附近，位于近红外（NIR）区域。通过形成纳米结构，可以发现WS₂特征吸收峰的蓝移（blue shift）。

一篇由Schutte等发表在Journal of Solid State Chemistry的文章阐述了二硫化钨（WS₂）和二硒化钨（WSe₂）具有与二硫化钼（MoS₂）同种类型的层状晶体结构。除了常见的WS₂的六边形2H形式外，还有一种斜方体形式，即3R-WS₂，也曾被报道过，它与MoS₂的斜方体形式同型。