过渡金属氧化钨是一种各方面物理化学性能都极为优异的N型半导体材料，其因气敏性出色、量子尺寸效应显著的原因，而常用来生产高质量的气体传感器。但是单纯的氧化钨组分并不能完全发挥它的功能，因此材料科学家表示可以非金属硅元素来修饰它。接下来主要介绍的是硅基氧化钨气敏性能的研究。

随着高新技术的发展，机械电子、石油、化工、航空航天、船舶、原子能等领域，被切割的金属母材料的种类、形状、厚度等的要求越来越复杂，因此对钨电极的性能要求也越来越苛刻，这样需要研制出性能更好的电极才能满足需要。研究表明，添加镧、钇可以有效地改善钨电极的性能，特别是镧钨电极具有寿命长、起弧性能好的特点。下面，我们一起来了解一下钨镧电极的新制造方法。

多孔硅基氧化钨气敏材料是由多孔硅为基底担载氧化钨形成的纳米复合半导体材料，其由于比表面积较大和气体扩散通道较多，因此在室温下对氮氧化物气体表现出较好的气敏性能。根据以往的研究表明，掺杂改性是一种能显著改善气敏材组件灵敏度和选择性的有效途径，有望满足室温条件下对氮氧化物气体实现更高性能探测的需求。因此，下面将要介绍的是铜掺杂硅基氧化钨气敏材料的制备方法。其具体步骤如下：

钨铈电极，又称为铈钨电极，是一种在钨基中添加稀土氧化铈再经过粉末冶金和压延磨抛工序制作而成的钨电极产品。其具有非放射性、非自耗、优良的起弧性能等特点，因此适合应用于激光光源。