制作钨插塞的方法

因此本发明的主要目的在于提供一种于一半导体晶片上制作一钨插塞的方法，以解决上述习知方法中铜双镶嵌结构发生铜挤出现象而影响钨插塞电性的问题。

为达成上述目的，在本发明的最佳实施例中，该半导体晶片表面包含有一基底，一铜双镶嵌结构设于该基底之上，一介电层覆盖于该铜双镶嵌结 构之上，以及一介层洞穿过该介电层并通达该铜双镶嵌结构顶部表面。该方法首先于该介层洞的底部及侧壁表面形成一厚度约为100至1000埃 (angstrom)的氮化钽层。然后利用一溅镀(sputter)制程或利用一化学气相沉积制程(CVD)以于该氮化钽层表面形成一厚度约为50至 600埃的氮化钛(titanium nitride，TiN)层。接着进行一化学气相沉积制程以于该氮化钛层上形成一钨金属层并填入该介层洞内。最后进 行一化学机械研磨制程，使该钨金属层约略与该介电层表面切齐，以于该介层洞形成该钨插塞。

本发明主要利用氮化钽层以及氮化钛层同时作为阻障层，以有效阻绝钨插塞下方连接的双镶嵌结构内铜金属挤出至介层洞内。此外，由于氮化钛金属对于钨金属的附着能力相当良好，因此在本发明的沉积钨金属的制程中，可直接利用一化学气相沉积法于氮化钛层上沉积钨金属层。
 

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