钨的氧化物属于一种新型的半导体材料，具较高的光催化活性和良好的超导性能，其中W02.90（蓝色氧化钨）和WO2.72（紫色氧化钨）是目前已知化学稳定性较好的非化学计量比的氧化钨。它们因晶体结构中存在氧空位缺陷的原因，而又可以称为氧空位氧化钨粉末。相较三氧化钨而言，氧空位氧化钨具有更为优秀的光致变色、近红外吸收、紫外吸收以及光催化等性质，更适合应用于新一代的棚膜中。

作为高温超导涂层导体的重要组成原料之一，镍钨金属基带除了立方织构质量是影响该产品性能的重要因素外，基带的表面特性也十分重要，将直接影响后续氧化物材料的制备以及超导层的性能。目前对于NiW金属基带的表面特性研究主要包括：表面腐蚀、抛光、退火、表面硫化改性等，但是它们均存在一定的不足，比如没有改善基带表面活性，基带表面出现晶界热蚀钩等缺陷。因此，本文将提出在NiW金属基带表面采用低成本的化学法制备出钨纳米点，这样将提高基带的表面活性，促进氧化物层异质外延生长。

据悉，氧化钨纳米棒的长径比如果较大的话，很容易在碳化还原过程中，因氧化钨之间相互缠绕，而生成大颗粒碳化钨，进而影响其结构与性能。下面，将为大家介绍的是如何用氧气调节氧化钨纳米棒长度？

作为过渡金属硫化物半导体材料的代表之一，二硫化钨纳米粉末除了能很好地用来作为高性能储能电极的生产原料之外，其在润滑领域的应用也是大家再熟悉不够的。那二硫化钨润滑脂具体有哪些优势呢？

具有与二硫化钼层状结构相似的二硫化钨超细颗粒（WS2），其其实也很适合用作锂离子存储的层状过渡金属硫化物。由于WS2层状结构较为特殊的原因，这也使得锂离子很容易嵌入和脱嵌它的表面。不过，根据制造方法的不同，二硫化钨的形貌和尺寸也有所区别。据悉，当超薄的二硫化钨纳米片组装成花状结构时，更加有利于增大其比表面积，从而能大大提高储能材料的电化学性能。下面，我们一起来了解一下花状二硫化钨纳米材料的制备。

二硫化钨，英文为Tungsten disulfide，分子式为WS2，是金属钨原子和非金属硫原子共同的化合物，外观颜色呈灰色，并带有金属光泽，属于六方晶系，根据制备方法的不同，其形貌也多种多样，如花状、片状、棒状、球状、线状等。那在实际应用过程中，二硫化钨常喷涂在金属表面的作用是什么呢？

钨合金材料是一种以金属钨为主要原料以镍、铜、铁为辅助原料的合金。相对于纯钨金属来说，钨合金虽然纯度更低，但是加工性能更好，且具有较高的密度，较强的抗射线能力，是新一代屏蔽件的优选材料。就伽马射线准直器来说，其适合用钨合金来生产，这样除了能很好地抵挡伽马射线击穿部件外，还可以尽可能确保粒子沿着特定的形状运动，减小辐射野形状的误差。

准直器在制造时之所以选用钨合金作为主要原料，是因为该合金具有较强的射线屏蔽能力，是铅的1.7倍多的，且无毒，易加工。

钨铜合金性能提高是现代生产企业都很关注的问题，合金是由钨和铜两相单体均匀混合而成的组织，既不互溶又不形成金属间化合物，是一种典型的假合金，现代生产需要得到性能更高，致密度更大的钨铜复合材料，就要克服钨和铜的互不溶性，结合钨铜复合材料产品的特性对其进行致密性压力加工，提高致密性和综合性能，满足现代生产的要求。

目前，钨铜合金的制备方法分为传统方法和现代方法两大类。钨和铜组成的合金，常用合金的含铜量为10%～50%，具有很好的导电导热性，较好的高温强度和一定的塑性。