储存器用纳米氧化钨

作为过渡金属N型半导体材料的代表，纳米氧化钨粉末不仅是新一代储能电极材料的优选添加剂，还是新型半导体储存器的重点储存介质。半导体储存器之所以选用钨氧化物来作为储存介质，是因为该材料具有极为优异的光电效应，且在电场的作用下其电阻值能发生可逆转变。

光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子吸收能量后逸出而形成电流，即光生电。钨氧化物因光电效应较为优秀，而能使所制备的储存器拥有更快的信息传输速度。另外，纳米氧化钨因有可逆的电阻值转变能力而能使储存器达到较好的存储目的，且不易失性。

半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。按功能的不同，其可以分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。

RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。

ROM主要用于BIOS存储器。按制造工艺的不同，其可分为双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器；按存储原理不同，其可分为静态和动态两种。

现今，为了弥补传统半导体储存器的不足，研究者建议使用纳米氧化钨材料来作为它的储存介质。

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