氮化镓晶体管

氮化镓既是一种由氮和镓组成的无机化合物，也是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。相对于硅晶体管来说，氮化镓晶体管拥有更快的数据传输速度，这主要是因为氮化镓具有较宽的直接带隙、较强的原子键、较高的热导率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）以及优异的抗辐照性能等特点。

硅晶体管主要由硅制成，用在高电压电路中，其作用是增强电子的射频信号。但是，硅存在一定的缺陷，即当温度超过200摄氏度后，硅基设备就开始出故障。从反面来说，这也就加速了氮化镓晶体管的催生。

氮化镓晶体管具有优异的耐热性能，能应对1000摄氏度以上的高温，因此由其制成的电子设备几乎不需要冷却。另外，氮化镓晶体管能应对的电场强度是硅的50多倍，因而科学家们可用它来制造信息传输速度更快的电子线路。不过，氮化镓技术过于昂贵，不能直接取代硅技术。

据悉，在最新研究中，博罗内斯和法国国家科学研究中心的科学家成功地将氮化镓种植在(100)-硅晶圆（晶体取向为100）上，制造出了新的氮化镓晶体管，在降低生产成本的同时，也能弥补硅晶体管耐高温性能差的问题。目前，科学家们已研制出了兼具CMOS（互补金属氧化物半导体）芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子组件，以获得更小更快、能耗更低的电子设备。

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