众所周知，新一代的电子芯片将引领电子市场的变革。作为第二代和第三代半导体的主要代表，GaAs（砷化镓）和GaN（氮化镓）都属于化合物半导体材料，均因为具有较好的耐高温、高压、高频以及高电流密度性能的优势，在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着重要的地位。那GaAs与GaN芯片有什么不同之处？

氮化镓（GaN）是一种宽带隙化合物半导体材料（禁带宽度为3.4eV），具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一，常用来制作发光二极管。氮化镓基发光二极管在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。

氮化镓既是一种由氮和镓组成的无机化合物，也是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。相对于硅晶体管来说，氮化镓晶体管拥有更快的数据传输速度，这主要是因为氮化镓具有较宽的直接带隙、较强的原子键、较高的热导率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）以及优异的抗辐照性能等特点。

随着科学技术的不断发展，芯片的应用范围也随之扩大，除了电视机需要用到芯片外，计算机、音响、影碟机、录像机、手机、照相机等电子设备都要用到芯片。那么，芯片、集成电路与分立器件三者有什么关系？

单层二硫化钨的能带隙达到2.0eV，而单层二硒化钨的能带隙达到1.7eV。较大的能带隙和较高的载流子迁移率，使它们在光电领域具有广阔的应用前景。为了实现带隙可调的二维层状半导体材料的制备，研究者利用化学气相沉积方法，即通过改变硫/硒元素的比例制备出带隙可调的大尺寸硒掺杂二硫化钨，同时这也表明了该技术打破了现有技术的瓶颈。

为了提高过渡金属二硫化钨在光开关的应用性能，科学家们便向二硫化钨中掺杂了适量的硒元素，通过调节硫/硒元素的比例制备出能带隙可调的硒掺杂二硫化钨薄膜。与单层二硫化钨相比，硒掺杂二硫化钨薄膜拥有更为优异的光电性能、更好的结晶性、更佳的化学稳定性、更高的迁移率等特点，更适合用来参与光电器件的生产。

为了降低暖手袋的充电次数，即延长其内置锂电池的单次充电续航时间，制造商们应选用含有低维度氧化钨粉末的化学电池来作为暖手袋的备用电源。与普通的化学电池相比，含有氧化钨材料的锂电池除了具有价格较为合理外，在相同体积和重量下，容量也相对较高，更适合用来作为新一代小型设备的电源。

与现有的储能电极材料添加剂相比，过渡金属氧化钨粉末更适合用来参与下一代高性能锂电池正极材料的制备，这主要是由于该氧化钨粉末除了具有较大的比表面积和较强的物理化学吸附能力外，还有较高的结晶度、较小的热膨胀系数等特点。就小型贴身的暖手宝来说，其应安装上述的那款新电池来作为内部电源，这样能在延长续航时间的同时，也可以降低安全隐患。

游艇配重件之所以选用钨合金来作为主要生产原料，是因为该合金相对于传统的铅块和铁块来说拥有更高的比重、更好的耐腐蚀性能。此外，钨合金对自然环境较为友好，也是现代众多制造商选用它来作为配重件的原因。

钨合金，又称为高比重合金，能很好地用来作为潜艇的配重件，让潜艇有更强的抗风能力，进而降低翻船的概率。不过，在这里值得强调的是，并不是配重块越大越好，配重块如果太大的话，会使潜水艇严重下沉，无法前行。因此，潜艇要根据实际情况选择合适的配重块。

氧化钨是钨和氧的一种化合物，化学式为WO3-x，因具有鲜艳的颜色，良好的热力学性能，优异的气敏特性以及特殊的光致变色和电致变色等特点，而广泛应用于日常生活中。其常用用来制作工业X射线屏幕荧光粉，防火面料，电致变色窗，油漆，涂料，石油工业催化剂，气敏传感器，储能电极材料等。