钨合金屏蔽件在医疗上的应用

钨合金是用来屏蔽x射线和伽马射线的极佳材料。钨合金有着很高的密度(比铅大 60%), 减小了屏蔽件的尺寸,而不影响屏蔽效果。钨合金屏蔽件可用于瞄准仪,核屏蔽,PET 注射屏蔽等.

钨合金屏蔽件在医疗领域主要运用在以下几个方面:

近距放射疗法

近距离放射治疗是把同位素放射源放置到肿瘤内部或肿瘤周围,放射源释放的射线穿透全部肿瘤组织,而周围正常组织中射线量较低,这样使肿瘤可以接受较多剂量的放射线而正常组织接受很少。这种技术就是将放射种子植入病人体内。在治疗前后,种子都被保存在钨制产品中,来保护病人和医生免受辐射。

正电子放射层扫描术 (PET)

正电子放射层扫描术 (PET)是简单来讲是一种医学成像技术,是一种用来诊断的核医疗技术。医生先给患者注射放射性示踪剂,接着,它会释放出伽马射线,吸收示踪剂最多的细胞会发出亮光,可由伽马照相机照出。因此当X射线照出体内结构时,PET可以显示出个别内脏的化学功能,这样细胞内的化学活动以及内脏就可以看见了。任何不正常的化学行为都有可能是肿瘤出现。PET 扫描经常用来发现癌症肿瘤,脑部疾病以及冠状动脉疾病。

钨合金注射器

钨合金可应用于PET:

PET 注射器

钨针管屏蔽

钨制FDG转移盘

瞄准仪

随着医疗水平的不断发展和提高,医疗技术不断的创新,放射性元素,XY射线在医学中得到广泛应用,为了保证人体免受不必要的伤害,一般采用钨合金作为容器或者屏蔽件。

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伽玛钨合金屏蔽件

伽马射线又称γ射线,是由原子衰变裂解时放出。具有波长极短,穿透力很强,携带高能量,易造成生物体细胞内的DNA断裂进而引起细胞突变、造血功能缺失、癌症等疾病。人体受到γ射线照射时,γ射线可以进入到人体的内部,并与体内细胞发生电离作用,电离产生的离子能侵蚀复杂的有机分子,如蛋白质、核酸和酶,它们都是构成活细胞组织的主要成份,一旦它们遭到破坏,就会导致人体内的正常化学过程受到干扰,严重的可以使细胞死亡。而钨合金是用来屏蔽伽马射线的极佳材料。钨屏蔽有着很高的密度(比铅大 60%), 减小了屏蔽件的尺寸,而不影响屏蔽效果。

钨合金屏蔽件

γ射线有很强的穿透力,在工业中,主要用于以下几个方面:

1.     地质录井:地质录井是一个勘探技术,主要用于石油和天然气工业。它也被称为钢丝线记录和井测井。伽玛射线源,降低成井和辐射穿透岩层,然后,从这些数据可以分析,以确定是否存在天然气或石油。钨合金用于屏蔽放射源中,也使用于γ射线准直仪中。

2.     工业射线照相:工业射线照相使用伽玛射线检测材料,常用于金属和混凝土结构的断层。

3.     伽玛射线还可以用来检查或薄弱点的石油管道焊缝金属铸件,可用来探伤或流水线的自动控制。钨准直仪设备也采用钨伽马辐射屏蔽件。

正是利用γ射线对人体细胞的杀伤力,在医疗上用来药杀和治疗某些类型的癌症和肿瘤。但是伽玛射线可以同时在我们的身体伤害其他正常细胞。因此,我们需要钨伽马屏蔽控制伽玛射线。

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如何判断离子源灯丝受到污染?

离子源是一门具有广泛应用领域的学科。在许多基础研究领域如原子物理、等离子化学、核物理等研究中,离子源都是十分重要不可缺少的设备。由于长时间的使用离子源灯丝,灯丝会受到一定程度的污染,需要使用者明白如何判断灯丝是否受到污染。以下有几种方法可以判断出离子源灯丝受到污染。

第一种方法对推斥极进行初步的判断。

轻微污染:1.将推斥极设为0.1,不能达到期望的灵敏度。2.自动调谐结果推斥极电压增高,或PMT电压增大。3.增加推斥极,电压值峰响应明显变化。以上3种情况皆为轻微污染的推斥极。

严重污染:1.很高的PMT值情况下仍然不能获得理想的响应。2.增加推斥极电压值,电压值峰响应明显增强。3.推斥极电压必须加大到很高值才能达到灵敏要求。

另一种方法是对离子源灯丝的判断。主要的判断方法是看灯丝的电流。灯丝污染的最明显标志是灯丝的电流变大,电流越大证明污染越严重。因此在使用离子源灯丝时要时刻确保真空系统的安全,严禁在漏气的情况下打开灯丝,这样会使灯丝很快烧坏。

针对离子源灯丝中离子源的清洗方法。使用者在开始清洗之前,应该事先准备好消耗品,例如灯丝或备件。离子源灯丝受到污染需要得到正确的清洗和重新安装,可靠稳定的操作是至关重要的。

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电化学法制备钨青铜

这类方法是制备钨青铜,尤其是氢钨青铜和锂钨青铜比较常见的方法,而且制备过程中发生的反应也是这两种钨青铜一些应用的基本反应。电化学法制备钨青铜不需要较高的温度,而且易获得完好的晶体。其制备过程如下:首先将三氧化钨按照一定的方法制成电极,然后以三氧化钨电极为阴极,以石墨、Pt等惰性电极或锂薄等为阳极,在硫酸、硝酸或相应的锂盐中电解,可得到氢钨青铜及锂钨青铜。三氧化钨对反应(包括反应电流、产物)有很大的影响,有人认为是因为反应过程中需要三氧化钨进行相应的晶形改变。
 
Schasche和Schollhorn用压制的六面体三氧化钨电极在0.05mol/L H2SO4溶液中电解,制备出了晶胞参数为a=0.7597nm, c=0.7567nm的六方结构H0.6WO3。也有人用非晶的三氧化钨薄膜作电极制备出了HxWO3,并进行了热力学、光学及导电性能的研究。
 
电化学法制备LixWO3的研究在上世纪80年代初已有报道,对其制备过程中结构变化的研究从90年代初开始。Q.Zhong等人分别以三氧化钨粉末、三氧化钨多晶蒸镀的薄膜为阴极,锂薄为阳极在含一定量1:1乙烯基碳酸和丙烯基碳酸的LiClO4溶液中进行电解反应。结果发现了四方结构Li0.1WO3和六方结构Li0.36WO3,其中,六方结构的锂钨青铜x值最大可达到0.5,而且反应对特定晶形的三氧化钨是可逆的。
 
电化学法也可以制备出其他的钨青铜,比较常见的是高温熔融电解制备钠钨青铜。但是,电化学方法需要特制电极,对反应过程缺乏系统的动力研究,反应产物的不确定性比较大。

钨青铜电镜照片
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电子枪灯丝的寿命

电子枪是对电子轰击靶屏发光进行加速的一种装置,电子枪的功能在于给出满足要求的电子束,在挑选电子枪的材料和工艺结构时,需要考虑到电子枪易于加工和使用方便。

电子枪的阴极对其寿命的长短起决定性作用,而阴极的材料和温度是关键性因素。因此,在阴极材料的选择方面,以低逸出功的材料为最佳。

影响电子枪灯丝的寿命有以下两方面的因素:

主观原因,热发射需要很高的灯丝温度,灯丝蒸发速率与温度指数成正比,工作温度越高,灯丝蒸发速率就越快,因此在满足使用的条件下,应尽量确保灯丝的低温,这对于灯丝的寿命来说起到至关重要的作用。
客观原因:钨灯丝表面会由于真空泄露容易形成氧化钨层,而氧化钨的蒸发速度高出单质钨的N倍,如果灯泡内有氧气,高温条件下钨丝与氧气反应会烧断灯丝,灯丝寿命会明显缩短;空气中的湿度含量对灯丝寿命具有一定影响,湿度过大会大大减小钨灯丝寿命;灯丝加热电流加载过快,造成热应力损伤。

灯丝都是具有一定使用寿命的。而其寿命的长短也会因为使用者的习惯和保养维护的不同而有着千差万别,电子枪需要在较高的真空环境下工作,并且尽量减少污染,使用者应该养成维护真空系统的习惯,防止真空泄露,避免阴极氧化;在满足使用的条件下,要对阴极的工作温度进行降低,延长其使用寿命;同时还应注意控制环境的湿度,不能使空气的湿度变大。总之,电子枪灯丝的使用寿命虽然受其本身质量的影响,但是使用者的维护更为重要,因此,使用者应加强对电子枪灯丝的管理来延长其使用寿命。

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硬质合金球齿钨粉还原工艺优化

硬质合金球齿的主要组成成分为碳化钨(WC)和钴(Co),其具有很好的硬度、强度、较高的熔点、优良的耐磨性以及化学稳定性,因此其在石油开采以及地质钻探等行业中有着广泛的应用。硬质合金球齿是通过镶嵌在钻头上,对岩层进行冲击、旋转、压碎以及剪切来实现挖掘的作用。由于大部分的钻井深度较深、挖掘长度较长,有的可能达到上千米,若球齿因磨损、断裂或者其他原因发生失效,多次更换钻头就会严重影响整体的钻井效率。因此,这也对硬质合金球齿的硬度和耐磨性提出了更高的要求。而其机械性能以及物理性能都取决于组织成分和结构,WC粉的原始性能,尤其是物理性能直接决定了硬质合金球齿的组织结构。WC粉末的质量与钨粉还原工艺是密不可分的,为了得到优质的WC粉末,我们需要结合钨粉还原工艺参数并进行优化,使硬质合金球齿的性能得到大幅度的改善。

首先,从WC粉末的制备过程入手,其基本流程是偏钨酸铵APT(Ammonium paratungstate)→氢气H2预还原→蓝色氧化钨→氢气H2还原→钨粉→加碳碳化→WC块→破碎→过筛制粒→WC粉。通过实验分析,在整个WC粉的制备过程中主要的影响因素包括温度、料层厚度以及粒度分布情况。温度的控制是影响钨粉还原的重要条件之一,良好的温度控制有利于促进还原速率,利于钨粉结晶的完成并且能有效消除钨粉晶内的组织缺陷。但是若还原温度过高会使得钨粉晶发生团聚,钨粉粒度分布变宽,使得WC粉的粒度分布也变宽。不均匀的WC粉粒度对硬质合金球齿性能会有一定的影响。

而料层的厚度也会影响钨粉粒度以及其粒度分布。理论上说,钨粉还原时增加装舟的料层厚度钨粉颗粒会变粗;而反过来减少装舟的料层厚度钨粉粒度会相对较细。但是,往往在实际的生产中,厚的装舟量会引起粉末粒度分布变宽,特别是引起双峰、多峰及尾峰。此外,粒度分布不同的WC粉所生产的硬质合金球齿的硬度也会随着粒度分布变宽而显著降低。其原因是粒度分布较宽的钨粉中会存在差异较大的粗细颗粒,这种差异在碳化的过程中会引起WC晶粒的不均匀长大,使得同一批粉末中既有粗大的单晶颗粒又有由细晶组成的多晶颗粒。当碳化温度较低时,细颗粒以碳化完全,而粗颗粒并未完成完全碳化;当碳化温度较高时,粗颗粒也发生了完全碳化,但是此时的细颗粒已经变成单晶并发生长大。生产硬质合金球齿时,使用单晶和多晶颗粒共存的WC粉,合金混合料破碎时间延长,单晶颗粒不易破碎或破碎一致性较差。压制时压制密度降低,且合金球齿在烧结时易出现晶粒的不均匀长大,严重时可能出现粗晶,是硬质合金球齿的硬度大幅降低。而采用单一的单晶或多晶颗粒均匀性较好的WC粉,混料湿磨的时间更短,颗粒易于破碎也更均匀。因此,通过优化钨粉生产工艺,如控制还原温度、碳化温度、装舟量等,生产出均匀的单晶或多晶的WC粉有利于改善硬质合金球齿的各项性能。

硬质合金球齿

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钨电极和TIG焊保护气体

钨电极具有高熔点、高沸点、高强度、小热导率和小高温挥发性等特点,因此常作为不熔化电极应用于钨极氩弧焊(TIG焊)中。纯钨电极的电子发射性能较差,通过掺杂稀土金属改良得到的稀土电极具有良好的电子发射性能,且引弧容易,使用寿命长。

在焊接时,保护气体不仅是焊接区域的保护介质,也是产生电弧的气体介质。因此保护气体的物理特性和化学特性不仅会影响到保护效果,也会对电弧的引燃、焊接过程的稳定以及焊缝的成型和质量带来一定的影响。

用于氩弧焊的保护气体主要有三种,包括氩气、氦气和混合气体。其中使用最广泛的是氩气。氩气是一种惰性气体,不会和金属发生化学反应,也不溶于金属中。另外,氩气的密度大于空气,而比热容和热导率比空气小,能较好的保护熔化的金属不受空气中的氧、氮、氢等有害元素和水分影响。这些特性都使得氩气在焊接过程中表现出良好性能,不仅能起好保护作用,同时能够稳定起弧。

氦气也属于惰性气体,它的冷却效果好,因此电弧能量密度大,弧柱细小而集中,同时焊缝具有良好的熔透率。但是氦气的电离电位高、热导率大,因此在焊接时引弧较为困难,能量损耗较大。一般情况下,多用于核反应堆的冷却棒。大厚度铝合金的焊接。

混合气体是两种惰性气体按一定比例的混合,其中主要包括氩气-氢气混合气体和氩气-氦气混合气体两种。在焊接过程中,混合气体有利于提高电弧热功率,增加焊缝的熔透性,提高生产效率。

TIG焊和钨电极

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三氧化钨SCR脱硝催化剂的重要指标——壁厚

一般SCR脱硝催化剂的运行时间是16000~24000小时,故而在其投入应用之后需要进行定期更换。催化剂的设计是一个复杂的过程,需要综合考虑多个因素,既要考虑烟气成分,又要考虑锅炉类型、SCR不知方式和所需性能等,所以,只有充分了解这些因素对系统和催化剂性能的所产生的影响,设计出的催化剂才会合理。

催化剂壁厚与节距的关系
 
催化剂的内壁厚度尺寸是影响性能的一个重要指标,其大小直接影响到初始的投资、SCR反应器的烟气阻力、反应停留时间;同时,催化剂的机械寿命等也跟壁厚相关,故而,在设计三氧化钨SCR脱硝催化剂的时候需做综合考虑。目前,最普遍使用的SCR脱硝催化剂是以二氧化钛为载体,五氧化二钒、三氧化钨为主要活性物质,其主要结构有蜂窝式、波纹板式、平板式。不论何种形式的催化剂,其节距(P)于烟气的流通孔径(d)、板间距(d)和催化剂内壁厚度(t)之间关系为P=d+t。
 
挤压工艺在技术上可以生产出适用于燃煤机组内壁厚度为0.6mm~1.1mm的蜂窝式催化剂,甚至可以达到更宽的范围。内壁厚度更小的催化剂,如0.60~0.70mm,在单位面积下比表面积更大,要达到相同性能所需的催化剂体积就会更小,以此能节省15~25%的成本。然而,这种催化剂的耐冲刷磨损性较差,再生更易损坏。因而,综合考虑磨损、机械寿命等因素,最佳的三氧化钨SCR脱硝催化剂的最佳内壁为0.9~1.1mm。
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钨酸铜作为乙醇气敏传感元件的应用

发明提供了钨酸铜作为乙醇气敏传感元件的应用及钨酸铜气敏传感器的制备方法;属于气敏材料与气敏传感器制备技术领域,其制备方法是将铜溶液和钨溶液按铜与钨相同摩尔比混合后反应,反应完毕后冷却,去离子水洗涤,干燥,焙烧得到CuWO4粉末;然后将CuWO4粉末与粘合剂充分混合、研磨制成浆料均匀地涂在Al2O3陶瓷管外表面,经过400℃退火2~4小时,制得气敏电极管;最后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装、制得CuWO4气敏传感器。发明所述的CuWO4气敏传感器,具有对乙醇灵敏度高,响应时间短,选择性好,工作温度相对较低的优点且制备工艺简单、易行,采用常规容器和设备即可,适合工业化生产的特点。

钨酸铜为浅灰色粉末,八面体构型。熔点时红热。密度(g/mL,25/4℃)7.5,常温常压下稳定,避免光,明火,高温。在15℃水中溶解度0.1g/100mL H2O。溶于氨水,微溶于醋酸,不溶于乙醇 ,在无机酸中分解。
合成方法:采用CuO和WO3高温反应合成钨酸铜。钨酸铜CuWO4具有畸变黑钨矿的结构。
应用:钨酸铜是一种η型半导体材料,广泛用做激光的基质材料、闪烁探测器、光导纤维以及光分解水的电极材料。
钨酸铜气敏传感器的制备方法:1.气敏电极管的制备 将钨酸铜粉末与粘合剂充分混合、研磨制成浆料,然后将浆料均匀地涂覆在Al2O3陶瓷管外表面,经过400°C -550°C退火2-4小时,制得气敏电极管;2.气敏电极管制备钨酸铜气敏传感器 将第一步所得气敏电极管按照旁热式结构传统工艺进行焊接、电老化、封装、制得钨酸铜气敏传感器。

钨酸铜
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钨铜触点HIP工艺

钨铜材料具有良好的导电导热性能以及优良的化学稳定性,但是其无法达到完全致密化的问题一直是阻碍其推广使用的因素之一。而这种不完全致密化会在一定程度上影响钨铜触点材料的硬度、强度、耐磨性以及耐电弧烧蚀性能。为此相关研究人员也提出了压力烧结、化学共还原法以及爆炸压实法等特殊工艺来对钨铜触点材料的致密度进行改善。但是这些工艺都存在着一定的缺陷,如运维成本较高、适用于体积较小的零部件等等。为了改善钨铜材料性能,我们结合了高压断路器所使用的钨铜触头,研究了HIP处理对于钨铜材料的影响,并对其消除孔隙、影响致密化的机理和相关影响因素进行研究。

HIP(Hot Isostatic Pressing),即热等静压工艺,其是将制品放置到密闭的容器中,向制品施 加各向同等的压力,同时施以高温,在高温高压的作用下,制品得以烧结和致密化。热等静压技术优点在于集热压和等静压的优点于一身,成形温度低,产品致密,性能优异,是高性能材料制备的必要手段;目前在美国,日本,已经欧洲都实现了产业化,在海洋,航空,航天,汽车等领域都有着较为广泛的应用。在开始HIP处理前,混料时将钨粉混入一定量的铜粉,冷等静压成型,进行低温预烧结,通过熔渗铜得到半成品。其以氩气作为传压介质,控制温度(钨铼热电偶测量)、压力、保压时间等相关参数,对HIP处理前后的钨铜触点材料的硬度、密度、抗弯强度以及电导率进行测量比较。密度采用传统阿基米德排水法;硬度采用的是洛氏硬度HRB并参照布氏硬度HB;抗弯强度按国标电触头材料基本性能试验方法进行测定;电导率则采用涡流导电测试仪进行测定。

实验结果表明,钨铜触点材料HIP的致密化机制与铸造合金的HIP处理相似,都是通过高温高压下出现的形变-闭合-扩散使得合金内部的缺陷被消除,从而实现完全致密化。因此也要求HIP所得到的熔渗材料需具有良好的封闭性,所有内部缺陷、疏松等都不能与外表面连通。若熔渗时不能保证所有缺陷都封闭在坯料内部,则HIP处理后其密度变化很小,甚至没有变化。此外,HIP处理的效果还与铜含量有关,当HIP的温度达到接近于铜熔点的温度时,其表面会出现渗出铜珠的现象。总的来说,HIP处理能够使钨铜触点接近完全致密化,极大地提升了钨铜触点材料的机械性能与物理性能,并能有效解决其分散性和可靠性的问题。

钨铜触点

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湿化学法制备钨青铜

水热合成法是湿化学法中最为重要的方法,在上世纪80年代初就被引入到了钨青铜的制备过程中。如WO3-W-LiOH按1:3:2比率在一定量的水中混合,于700℃下(一定压力)加热9h制备出紫色的晶体,经验证为a=0.740 5 nm,c=0.755 4 nm的六方结构Li0.30WO3。早期的水热合成温度比较高,而现在报道较多的则是低温水热合成。
 
Kenneth P. Reis和A. Ramanan等人通过酸化钨酸盐溶液的低温水热合成法制备出了六方结构的钨青铜。溶液中的反应在T=155℃,P=5kPa条件下进行,持续3 d左右pH值的控制十分关键。合成出产物晶胞参数为a=0.730 0 nm,c=0.771 9 nm的六面体结构LixWO3+x/2。相似的低温水热合成,即几种反应物在水溶液中直接加热、加压合成钨青铜晶体的报道还比较多。如用WO3、KOH和N2H4·H2O在360℃下反应,制备出K0.4WO3的单晶晶须;WO3、NaBH4(或KBH4)用盐酸酸化,在350℃下反应制备出了NaxWO3(或KxWO3)溶胶,且通过在600℃和850℃退火处理,得到了晶体。低温水热合成必须解决低温下还原剂强度选择的问题,才能保证把部分的W6+还原,进而生成钨青铜。选择酸化和使用有机合成上常用的强还原剂等手段。
 
湿化学法由于其合成温度相对较低,产物结晶状态比较好等优点而成为合成方法中研究的热点,但现在通过这种方法合成出来的钨青铜种类还不是很多。

钨青铜
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